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SGA5289ZSR

更新时间： 2024-01-06 01:54:12

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威讯 - RFMD		放大器射频微波
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描述
DC to 5000MHz, CASCADABLE SiGe HBT MMIC AMPLIFIER

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SGA5289ZSR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-243	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	5A991.G	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.67	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	12.1 dB
最大输入功率 (CW)：	16 dBm	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	3
最大工作频率：	5000 MHz	最小工作频率：
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	TO-243
电源：	3.5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	66 mA
表面贴装：	YES	技术：	BIPOLAR
Base Number Matches：	1

SGA5289ZSR 数据手册

SGA5289ZDC

to 5000MHz,

Cascadable

SiGe HBT

MMIC Ampli-

fier

SGA5289Z

DC to 5000MHz, CASCADABLE SiGe HBT

MMIC AMPLIFIER

Package: SOT-89

Product Description

Features

The SGA5289Z is a high performance SiGe HBT MMIC Amplifier. A Darling-

ton configuration featuring one-micron emitters provides high F_Tand



High Gain: 12.7dB at

1950MHz

excellent thermal performance. The heterojunction increases breakdown

voltage and minimizes leakage current between junctions. Cancellation of

emitter junction non-linearities results in higher suppression of intermodu-

lation products. Only two DC-blocking capacitors, a bias resistor, and an

optional RF choke are required for operation.



Cascadable 50

Operates from Single Supply

Low Thermal Resistance

Package

Applications

Optimum Technology

Matching® Applied



PA Driver Amplifier

Cellular, PCS, GSM, UMTS

IF Amplifier

GaAs HBT

GaAs MESFET

InGaP HBT

SiGe BiCMOS

Si BiCMOS

SiGe HBT

GaAs pHEMT

Si CMOS

Gain & Return Loss vs. Frequency

V_D= 3.5 V, I_D= 60 mA (Typ.)

-10

-20

-30

-40

GAIN

ORL

Wireless Data, Satellite



IRL

Si BJT

GaN HEMT

InP HBT

Frequency (GHz)

RF MEMS

LDMOS

Specification

Parameter

Unit

Condition

Min.

12.1

Typ.

13.4

12.7

12.5

15.8

14.4

31.8

28.1

5000

Max.

14.7

Small Signal Gain

dBm

MHz

850MHz

1950MHz

2400MHz

850MHz

1950MHz

850MHz

1950MHz

>10dB

Output Power at 1dB Compression

Output Third Intercept Point

Bandwidth Determined by Return

Loss

Input Return Loss

Output Return Loss

Noise Figure

Device Operating Voltage

Device Operating Current

Thermal Resistance

(Junction - Lead)

29.2

18.1

3.8

3.5

1950MHz

3.1

3.9

°C/W

Test Conditions: V =8V, I =60mA Typ., OIP Tone Spacing=1MHz, P

per tone=-5dBm, R

=75, T =25°C, Z =Z =50

OUT

BIAS

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mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.

7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical

support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.

DS111014

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