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SG50N06D2S

更新时间: 2024-11-26 00:02:03
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SIRECTIFIER 晶体双极型晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 156K
描述
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBTs),IGBT分立器件Discrete IGBTs。

SG50N06D2S 数据手册

 浏览型号SG50N06D2S的Datasheet PDF文件第2页 
SG50N06D2S, SG50N06D3S  
Discrete IGBTs  
Dim.  
Millimeter  
Inches  
Min.  
Dimensions SOT-227(ISOTOP)  
Min.  
Max.  
Max.  
A
B
31.50  
7.80  
31.88  
8.20  
1.240  
0.307  
1.255  
0.323  
C
D
4.09  
4.09  
4.29  
4.29  
0.161  
0.161  
0.169  
0.169  
E
F
4.09  
14.91  
4.29  
15.11  
0.161  
0.587  
0.169  
0.595  
G
H
30.12  
37.80  
30.30  
38.20  
1.186  
1.489  
1.193  
1.505  
J
K
11.68  
8.92  
12.22  
9.60  
0.460  
0.351  
0.481  
0.378  
L
M
0.76  
12.60  
0.84  
12.85  
0.030  
0.496  
0.033  
0.506  
N
O
25.15  
1.98  
25.42  
2.13  
0.990  
0.078  
1.001  
0.084  
P
Q
4.95  
26.54  
5.97  
26.90  
0.195  
1.045  
0.235  
1.059  
R
S
3.94  
4.72  
4.42  
4.85  
0.155  
0.186  
0.174  
0.191  
T
U
24.59  
-0.05  
25.07  
0.1  
0.968  
-0.002  
0.987  
0.004  
V
W
3.30  
0.780  
4.57  
0.830  
0.130  
19.81  
0.180  
21.08  
SG50N06D3S  
SG50N06D2S  
Symbol  
Test Conditions  
; RGE=1M  
Maximum Ratings  
Unit  
V
V
CES  
CGR  
T
T
J
J
=25o  
=25o  
C
C
to 150o  
to 150o  
C
C
600  
600  
±20  
±30  
75  
V
V
V
V
GES  
GEM  
Continuous  
Transient  
T
T
T
V
I
I
C25  
C90  
C
C
C
=25o  
=90o  
=25o  
C
C
C
50  
200  
A
A
I
CM  
; 1 ms  
GE=15V; TVJ=125o  
C
; R =10  
G
ICM=100  
SSOA  
(RBSOA)  
@
0.8VCES  
250  
Clamped inductive load; L=30uH  
P
C
T
C
=25o  
C
W
V
A
A
W
oC  
600  
60  
600  
150  
V
I
I
RRM  
FAVM  
FRM  
T
C
=70o  
C
; rectangular; d=50%  
t
p
10ms; pulse width limited by T  
=25o  
J
P
D
T
C
C
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
-40…+150  
150  
-40…+150  
1.5/13  
T
J
T
T
JM  
stg  
A
M
d
Mounting torque  
Terminal connection torque(M4)  
Nm/Ib.in.  
g
1.5/13  
Weight  
30  
(T  
Characteristic Values  
min. typ. max.  
J
=25o  
C, unless otherwise specified)  
Symbol  
BVCES  
Test Conditions  
Unit  
I
I
C
=250uA; VGE=0V  
=250uA; VCE=VGE  
600  
2.5  
V
V
V
GE(th)  
C
5.0  
200  
1
I
CES  
V
V
V
CE=0.8VCES  
GE=0V;  
;
T
J
J
=25o  
=125o  
C
uA  
mA  
nA  
V
T
C
I
GES  
CE=0V; VGE=±20V  
=IC90; VGE=15V  
±100  
2.5  
V
CE(sat)  
I
C

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SG50N06D3S SIRECTIFIER

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绝缘栅双极型晶体管(IGBT)Isolated Gate Bipolar Transist
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