5秒后页面跳转
SG4500GXH25 PDF预览

SG4500GXH25

更新时间: 2024-11-26 21:19:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 177K
描述
Silicon Controlled Rectifier, GATE TURN-OFF SCR

SG4500GXH25 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-XEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.84
最大直流栅极触发电流:10000 mA最大直流栅极触发电压:2 V
JESD-30 代码:O-XEDB-N2通态非重复峰值电流:46000 A
端子数量:2最大通态电流:400000 A
最高工作温度:115 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
断态重复峰值电压:4500 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:END触发设备类型:GATE TURN-OFF SCR
Base Number Matches:1

SG4500GXH25 数据手册

 浏览型号SG4500GXH25的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SG4500GXH25的Datasheet PDF文件第3页 

与SG4500GXH25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SG4501A ETC

获取价格

DUAL VOLTAGE TRACKING REGULATOR
SG4501N ETC

获取价格

DUAL VOLTAGE TRACKING REGULATOR
SG4501T ETC

获取价格

DUAL VOLTAGE TRACKING REGULATOR
SG450Q LITTELFUSE

获取价格

Littelfuse SG系列气体放电管采用微型封装,具有高额定浪涌。 专为小尺寸(4.5
SG456OHM+/-5%+/-150PPMTR1250E3 VISHAY

获取价格

Fixed Resistor, Wire Wound, 4W, 56ohm, 125V, 5% +/-Tol, -150,150ppm/Cel,
SG45N12T SIRECT

获取价格

Discrete IGBTs
SG45N12T SIRECTIFIER

获取价格

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)Isolated Gate Bipolar Transist
SG46.2OHM+/-5%+/-150PPMTR1250E VISHAY

获取价格

Fixed Resistor, Wire Wound, 4W, 6.2ohm, 125V, 5% +/-Tol, -150,150ppm/Cel,
SG4620OHM+/-5%+/-150PPMTR1250E VISHAY

获取价格

Fixed Resistor, Wire Wound, 4W, 620ohm, 125V, 5% +/-Tol, -150,150ppm/Cel,
SG5 RFSOLUTIONS

获取价格

6+6 Band Graphic Equalizer (Stereo)