Datasheet > SG25S12DT

SG25S12DT

更新时间： 2024-01-05 19:04:19

品牌	Logo	应用领域
SIRECT		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	112K
描述
Discrete IGBTs

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SG25S12DT 数据手册

SG25S12T, SG25S12DT

Discrete IGBTs

Dim.

Millimeter

Min. Max. Min.

Inches

Max.

Dimensions TO-247AD

19.81 20.32 0.780 0.800

20.80 21.46 0.819 0.845

15.75 16.26 0.610 0.640

3.55 3.65 0.140 0.144

G=Gate, C=Collector,

C(TAB)

E=Emitter,TAB=Collector

4.32 5.49 0.170 0.216

5.4

6.2 0.212 0.244

1.65 2.13 0.065 0.084

4.5

0.177

1.0

1.4 0.040 0.055

10.8 11.0 0.426 0.433

4.7

0.4

5.3 0.185 0.209

0.8 0.016 0.031

SG25S12DT

SG25S12T

1.5 2.49 0.087 0.102

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Unit

VCES

VCGR

TJ=25^oC to 150^oC

1200

TJ=25^oC to 150^oC; RGE=1 M ;

VGES

VGEM

Continuous

Transient

±20

±30

IC25

IC90

TC=25^oC

TC=90^oC

VGE=15V; TVJ=125^oC; RG=25

ICM=48

@ 0.8 VCES

SSOA

(RBSOA)

Clamped inductive load, L=100uH

TC=25^oC

313

-55...+150

150

-55...+150

TJM

Tstg

^oC

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s

260

Mounting torque (M3)

1.13/10

Nm/Ib.in.

Weight

=25^o

C, unless otherwise specified)

Characteristic Values

Symbol

Test Conditions

Unit

min.

typ.

max.

BV^CES

=1500uA; VGE=0V

=1000uA; VCE=VGE

1200

3.0

GE(th)

4.0

5.0

350

1.4

CES

CE=1200V;

GE=0V;

=25^o

=150^o

GES

CE=0V; VGE=±20V

=IC90; VGE=15V

±100

2.35

CE(sat)

中文翻译

下载PDF

与SG25S12DT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SG25S12T	SIRECT	获取价格	Discrete IGBTs
SG25S12T	SIRECTIFIER	获取价格	绝缘栅双极型晶体管（IGBT）Isolated Gate Bipolar Transist
SG260	KODENSHI	获取价格	Photointerrupters(Transmissive)
SG-260	KODENSHI	获取价格	Photointerrupters(Transmissive)
SG2626	MICROSEMI	获取价格	DUAL HIGH SPEED DRIVER
SG2626DW	MICROSEMI	获取价格	DUAL HIGH SPEED DRIVER
SG2626J	MICROSEMI	获取价格	DUAL HIGH SPEED DRIVER
SG2626M	MICROSEMI	获取价格	DUAL HIGH SPEED DRIVER
SG2626R	MICROSEMI	获取价格	DUAL HIGH SPEED DRIVER
SG2626T	MICROSEMI	获取价格	DUAL HIGH SPEED DRIVER