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SG2003DW

更新时间： 2024-09-18 21:08:59
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 驱动光电二极管驱动器
页数 文件大小 规格书
7页 98K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

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SG2003DW 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
其他特性：CMOS COMPATIBLE最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：1000JESD-30 代码：R-PDSO-G16
元件数量：7端子数量：16
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：1.6 V
Base Number Matches：1

SG2003DW 数据手册

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SG2000 SERIES  
HIGH VOLTAGE MEDIUM  
CURRENT DRIVER ARRAYS  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The SG2000 series integrates seven NPN Darlington pairs with  
internal suppression diodes to drive lamps, relays, and solenoids in  
many military, aerospace, and industrial applications that require  
severe environments. All units feature open collector outputs with  
greater than 50V breakdown voltages combined with 500mA  
current carrying capabilities. Five different input configurations  
provide optimized designs for interfacing with DTL, TTL, PMOS, or  
CMOS drive signals. These devices are designed to operate from  
-55°C to 125°C ambient temperature in a 16 pin dual in line ceramic  
(J) package and 20 pin Leadless Chip Carrier (LCC). The plastic  
dual in–line (N) is designed to operate over the commercial  
temperature range of 0°C to 70°C.  
• Seven npn Darlington pairs  
• -55°C to 125°C ambient operating temperature range  
• Collector currents to 600mA  
• Output voltages from 50V to 95V  
• Internal clamping diodes for inductive loads  
• DTL, TTL, PMOS, or CMOS compatible inputs  
• Hermetic ceramic package  
HIGH RELIABILITY FEATURES  
♦ Available to MIL-STD-883 and DESC SMD  
♦ MIL-M38510/14101BEA - JAN2001J  
♦ MIL-M38510/14102BEA - JAN2002J  
♦ MIL-M38510/14103BEA - JAN2003J  
♦ MIL-M38510/14104BEA - JAN2004J  
♦ Radiation data available  
♦ LMI level "S" processing available  
PARTIAL SCHEMATICS  
4/90 Rev 1.3 6/97  
LINFINITY Microelectronics Inc.  
Copyright 1997  
11861 Western Avenue ∞ Garden Grove, CA 92841  
1
(714) 898-8121 ∞ FAX: (714) 893-2570  
1234567

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与SG2003DW相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SG2003J MICROSEMI

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 		HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS
SG2003J/883B MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,
SG2003J/DESC MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,
SG2003J-883B MICROSEMI

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 		HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS
SG2003J-JAN MICROSEMI

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 		暂无描述
SG2003L MICROSEMI

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 		HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS
SG2003L/883B MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI
SG2003LT/R MICROSEMI

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SG2003-XN5/TR SGMICRO

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 		400mA, Low Power, Low Noise, Low Dropout, Linear Regulators

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