Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> SG2002J/DESC

SG2002J/DESC

更新时间： 2024-11-24 13:13:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		驱动器高压
页数	文件大小	规格书
7页	102K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SG2002J/DESC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-CDIP-T16
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	7 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
JESD-30 代码：	R-CDIP-T16	JESD-609代码：	e0
元件数量：	7	端子数量：	16
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SG2002J/DESC 数据手册

SG2000 SERIES

HIGH VOLTAGE MEDIUM

CURRENT DRIVER ARRAYS

DESCRIPTION

FEATURES

The SG2000 series integrates seven NPN Darlington pairs with

internal suppression diodes to drive lamps, relays, and solenoids in

many military, aerospace, and industrial applications that require

severe environments. All units feature open collector outputs with

greater than 50V breakdown voltages combined with 500mA

current carrying capabilities. Five different input configurations

provide optimized designs for interfacing with DTL, TTL, PMOS, or

CMOS drive signals. These devices are designed to operate from

-55°C to 125°C ambient temperature in a 16 pin dual in line ceramic

(J) package and 20 pin Leadless Chip Carrier (LCC). The plastic

dual in–line (N) is designed to operate over the commercial

temperature range of 0°C to 70°C.

• Seven npn Darlington pairs

• -55°C to 125°C ambient operating temperature range

• Collector currents to 600mA

• Output voltages from 50V to 95V

• Internal clamping diodes for inductive loads

• DTL, TTL, PMOS, or CMOS compatible inputs

• Hermetic ceramic package

HIGH RELIABILITY FEATURES

♦ Available to MIL-STD-883 and DESC SMD

♦ MIL-M38510/14101BEA - JAN2001J

♦ MIL-M38510/14102BEA - JAN2002J

♦ MIL-M38510/14103BEA - JAN2003J

♦ MIL-M38510/14104BEA - JAN2004J

♦ Radiation data available

♦ LMI level "S" processing available

PARTIAL SCHEMATICS

4/90 Rev 1.3 6/97

LINFINITY Microelectronics Inc.

11861 Western Avenue ∞ Garden Grove, CA 92841

(714) 898-8121 ∞ FAX: (714) 893-2570

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与SG2002J/DESC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SG2002J-JAN	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
SG2002L	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI
SG2002L/883B	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, HERMETI
SG2002-XN5/TR	SGMICRO	获取价格	300mA, Low Power, Low Noise Low Dropout, Linear Regulators
SG2003	SGMICRO	获取价格	400mA, Low Power, Low Noise, Low Dropout, Linear Regulators
SG2003	MICROSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS
SG2003	MICROCHIP	获取价格	The SG2000 series integrates seven NPN Darlington pairs with internal suppression diodes t
SG2003-2.5	SGMICRO	获取价格	400mA, Low Power, Low Noise, Low Dropout, Linear Regulators
SG2003-2.5XN5/TR	SGMICRO	获取价格	400mA, Low Power, Low Noise, Low Dropout, Linear Regulators
SG2003-2.8	SGMICRO	获取价格	400mA, Low Power, Low Noise, Low Dropout, Linear Regulators

与SG2002J/DESC相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

39
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

31
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

59
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

55

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SG2002J/DESC

SG2002J/DESC 技术参数

SG2002J/DESC 数据手册

与SG2002J/DESC相关器件

与SG2002J/DESC相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SG2002J/DESC

SG2002J/DESC 技术参数

SG2002J/DESC 数据手册

与SG2002J/DESC相关器件

与SG2002J/DESC相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？