項ꢀꢀꢀꢀꢀ目
記
号
条
件
Crystal oscillator
高 周波 水晶発振器
SG-730シリ ーズ
製品型番(2ページを参照)
Q33730xxxxxxx00
●
リフロー可能な高密度 実 装 対応SMD.
●
C-MOS ICの使 用 により低消 費電流を実 現
●
電源電圧 5.0V(*H*)、3.3V(*C*)対応
●
Outputenable(OE)機能により消 費
電力の低減 可能
原
寸 大
■仕 ꢀ様(特性 )
仕 ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ様
PHN
PCN
SCN
67.0001 MHz
~80.0000 MHz
P.31製品
別周波 数帯を参照してください
出力周波 数範囲
fO
1.5000 MHz~67.0000 MHz
-0.5 V~+7.0 V
-
VDD=GND
最 大 供 給 電 圧
VDD GND
電 源 電 圧
動ꢀ作 ꢀ電ꢀ圧
VDD
H: 5.0 V±0.5 V
C: 3.3 V±0.3 V
単
品
で保存
保ꢀ ꢀ温ꢀ度
動ꢀ作 ꢀ温ꢀ度
TSTG
TOPR
-40 ˚C~+125 ˚C
温 度 範 囲
-40 ˚C~+85 ˚C
P.31製品 周波 数帯を参照してください
別
S: ±25 × 10-6 Max.、B: ±50 × 10-6 Max.、C: ±100 × 10-6 Max.
L: ±50 × 10-6 Max.、M: ±100 × 10-6 Max.
-20 ˚C~+70 ˚C
-40 ˚C~+85 ˚C
ꢀf/fO
周波 数安 定度
F0 ≦ 32MHz, 無負荷
12.0 mA Max.
7.0 mA Max.
12.0 mA Max.
15.0 mA Max.
20.0 mA Max.
–
–
F0 ≦ 40MHz, 無
負
荷
30.0 mA Max.
–
ꢀ費ꢀ電ꢀ流
lOP
40.0 mA Max.
50.0 mA Max.
–
–
F0 ≦ 50MHz, 無
F0 ≦ 67MHz, 無
F0 ≦ 80MHz, 無
負
荷
負
荷
–
負
荷
35 mA Max.
5.0 mA Max.
25.0 mA Max.
4.0 mA Max.
10.0 mA Max.
–
–
F0 ≦ 32MHz, OE=GND (PHN,PCN)
F0 ≦ 40MHz, OE=GND (PHN,PCN)
lOE
デ
ィセーブル電流
F0 ≦ 50MHz, OE=GND (PHN,PCN)
30.0 mA Max.
40.0 mA Max.
10.0 mA Max.
10.0 mA Max.
–
–
F0 ≦ 67MHz, OE=GND (PHN,PCN)
スタンバイ時電流
l
ST
–
–
15 µA Max.
ST=GND(SCN)
1 / 2VDD レベル
デ
ュ
ー テ
レベル出力電圧
レベル出力電圧
荷 条 件
レベル入力電圧
レベル入力電圧
ィ
tW /t
45 %~55 %
“
H”
VOH
VDD 0.4 Min.
IOH -8 mA
-
=
“
L”
VOL
IOL 8 mA
=
0.4 V Max.
出 力 負
CL
15 pF Max.
“
H”
VIH
2.0 V Min.
2.0 V Min.
70% VDD Min.
OE端子(PCN PHN)
ST端子(SCN)
0.8 V Max.
0.5 V Max.
30% VDD Max.
“
L”
VIL
4 ns Max.
出力上 昇時間
tTLH
20 %→80 %VDDレベル
80 %→20 %VDDレベル
最小値動作 電圧 時のtを0とする。
+25 ˚C, VDD=5.0 V/3.3 V, 10 years
4 ns Max.
出力下降時間
tTHL
発
振開始 時間
tOSC
10 ms Max.
Ta=
経
ꢀ時ꢀ変ꢀ化
fa
±10 ×
10-6 / 年 Max.
■外形 寸法 図
■推奨はんだ付けパターン図
(単位: mm) (単位: mm)
1.4
#3
#2
#4
1.8
E 32.768S
PCN181A
5.08
#1
7.0±0.2
NO. ピン端子
1ꢀꢀꢀOE
2
ꢀꢀGND
3ꢀꢀꢀOUT
4ꢀꢀꢀVDD
5.08
5.08
■端子
説明
OE端子(PHN, PCN)
ST端子(SCN)
ST端子 =“H”o“r Open”:OUT端子 に所定の周波 数を出力
ST端子 =“L”:発 停止 、OUT端子 は、ハイインピーダンス
OE端子 =“H”o“r Open”:OUT端子 に所定の周波 数を出力
OE端子 =“L”:出力停止 、OUT端子 は、ハイインピーダンス
振
36