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SG-636PTF

更新时间： 2024-02-22 15:55:21
品牌 Logo 应用领域
EPSONTOYOCOM /
页数 文件大小 规格书
1页 155K
描述
SG-636PTJ

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SG-636PTF 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SOJ4/10,.25
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N安装特点：SURFACE MOUNT
端子数量：4最大工作频率：70 MHz
最小工作频率：41 MHz标称工作频率：70 MHz
最高工作温度：70 °C最低工作温度：-20 °C
最大输出低电流：8 mA封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：SOJ4/10,.25电源：5 V
认证状态：Not Qualified子类别：Other Oscillators
最大压摆率：35 mA标称供电电压：5 V
表面贴装：YESBase Number Matches：1

SG-636PTF 数据手册

  
項ꢀꢀꢀꢀꢀ目  
記
                                                            
号
条
                                                                                                                                                                               
                                                                                                                                                                                  
                                                                                                                                                                                     
                                                                                                                                                                                        
件
デ
ィセーブル時電流  
28mAmax.  
20mAmax.  
40％～60％  
OE＝ GND  
                                                                                                                                                                          
ST  
＝ GND,2μAmax.(SCE)  
Crystal oscillator  
小型SOJ高 周波 水晶発振器  
SG-636シリ ーズ  
●C-MOS IC使 用 による低消 費電力  
●小型 SMDパッケージにより、高密度 実 装  
ꢀが可能  
●耐 熱型 シリンダAT水晶振 動 子 内蔵で一般  
ꢀSMD ICと同等 のハンダ付け方 法 が可能  
●アウトプットイネーブル機能、スタンバイ  
ꢀ機能付き  
原
寸 大  
■仕 ꢀ様（特性 ）  
仕 ꢀꢀ様  
SG-636PTF  
SG-636PH SG-636SCE/PCE  
SG-636PTJ  
2.21675MHz  
2.21675MHz  
出力周波 数範囲  
fO  
41.0001MHz～70.0000MHz  
ꢀꢀ～41.0000MHz  
ꢀꢀ～41.0000MHz  
DD-GND  
最大供 給 電圧  
動ꢀ作 ꢀ電ꢀ圧  
V
0.5V～＋7.0V  
ー
0.3V～＋7.0V  
0.5V～＋7.0V  
ー
ー
電 源 電 圧  
VDD  
TSTG  
TOPR  
5.0V± 0.5V  
3.3V± 0.3V  
保ꢀ ꢀ温ꢀ度  
動ꢀ作 ꢀ温ꢀ度  
55℃～＋100℃  
ꢀー  
温 度 範 囲  
20℃～＋70℃  
ー
。
TSOL  
260C以下×10秒以内×２回  
ハンダ付け条件  
周波 数安 定度  
C： ± 100ppm  
35mAmax.  
ꢀf/fO  
lop  
lOE  
ꢀ費ꢀ電ꢀ流  
17mAmax.  
10mAmax.  
40％～60％  
9mAmax.  
5mAmax.  
無
負
荷
C-MOS負  
荷： １/２VDD レベル  
45％～55％  
ー
デ
ュ
ー
テ
ィ
tW /t  
45％～55％  
ー
TTL負  
荷： 1.4Vレベル  
“
H”  
レベル出力電圧  
レベル出力電圧  
荷条件 （T T L）  
VOH  
VDD 0.4V min.  
2.4V min.  
VDD 0.4V min.  
I
OH＝  
－８mA（PTF）/－400μA（PTJ）/－４mA（PH/SCE/PCE）  
－
－
“
L”  
VOL  
IOL＝ 16mA（PTF）/８mA（PTJ）/４mA（PH/SCE/PCE）  
0.4V max.  
５TTL max.  
CL≦ 15PF  
ー
出力負  
N
10TTL max.  
５LSTTL max.  
20pF max.（  
≦
55MHz）  
-
出力負  
荷条件 （C MOS  
）
CL  
50pF max.  
15pF max.  
30pF max.  
15pF max（. ＞55MHz）  
“
H”  
レベル入力電圧  
レベル入力電圧  
VIH  
VIL  
2.0V min.  
0.8V max.  
７ns max.  
3.5V min.  
1.5V max.  
ー
2.0V min.  
0.8VDD min.  
0.2VDD max.  
OE端 ,ꢀꢀST端子（SCE）  
“
L”  
0.8V max.  
５ns max.  
C-MOS負  
荷： 20％→80％VDDレベル  
出力上 昇時間  
tTLH  
５ns max.  
ー
TTL負  
荷： 0.4V→2.4Vレベル  
７ns max.  
５ns max.  
C-MOS負荷： 80％→20％VDDレベル  
ー
出力下降時間  
tTHL  
５ns max.  
ー
TTL負  
荷： 2.4V→0.4Vレベル  
発
振開始 時間 tOSC 4ms max. 4ms max. 動作 電圧 時tを０とする  
10ms max.  
最低  
Ta＝ 25℃，ꢀ初年 度  
硬木上 75cm×３回または3000G  
×0.3ms.×１/２Sine Wave×３方  
経
ꢀ時ꢀ変ꢀ化 fa ± ５ppm/年 max.  
耐ꢀ衝ꢀ撃ꢀ性  
S.R.  
± 20ppmmax.  
向
モールド部より内蔵の金属ケースの一部が見える場合 があります。  
■外形 寸法 図  
■推奨ハンダ付けパターン図  
（単位： mm） （単位： mm）  
信 号  
名
端子  
番号  
SG-636SCE SG-636P＊＊  
10.5max.  
＃
１
２
ST  
GND  
OUT  
VDD  
OE  
GND  
OUT  
VDD  
＃
4
3
３
４
18.4320C  
E
PTF9352A  
＃
1
＃ 2  
5.8max.  
0.5  
（1.0）  
（1.0）  
3.6  
5.08  
1.3  
3.8  
1.3  
33  
1

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
SG-636PTF10.0000MC3:ROHS SEIKO IC,CRYSTAL OSCILLATOR,1-CHANNEL,2.21675MHZ-41MHZ,DIP,4PIN,PLASTIC

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