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Datasheet > SG-636PHG2.21675MB
SG-636PHG2.21675MB PDF预览

SG-636PHG2.21675MB

更新时间： 2024-02-11 19:49:58
品牌 Logo 应用领域
精工 - SEIKO /
页数 文件大小 规格书
2页 208K
描述
IC,CRYSTAL OSCILLATOR,1-CHANNEL,2.21675MHZ-33MHZ,DIP,4PIN,PLASTIC

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SG-636PHG2.21675MB 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMDIP4,.23,200
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.92
安装特点：SURFACE MOUNT端子数量：4
最大工作频率：33 MHz最小工作频率：2.21675 MHz
标称工作频率：2.21675 MHz最高工作温度：70 °C
最低工作温度：-20 °C最大输出低电流：16 mA
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：SMDIP4,.23,200
电源：5 V认证状态：Not Qualified
子类别：Other Oscillators最大压摆率：25 mA
标称供电电压：5 V表面贴装：YES
Base Number Matches：1

SG-636PHG2.21675MB 数据手册

 浏览型号SG-636PHG2.21675MB的Datasheet PDF文件第2页 
Crystal oscillator  
Epson Toyocom  
Product Number (please contact us)  
SG-645  
SG-636  
: Q33645xx1xxxx00  
: Q33636xx1xxxx00  
CRYSTAL OSCILLATOR  
SPXO  
SG-645  
•Frequency range  
•Supply voltage  
•Function  
/
SG-636 series  
:
:
:
2.21675 MHz to 135 MHz  
2.5 V / 3.3 V / 5.0 V  
Output enable(OE) or Standby( ST  
)
•External dimensions : 7.1 × 5.1 × 1.5 t (mm)···SG-645  
10.5 × 5.8 × 2.7 t (mm)···SG-636  
Actual size  
SG-645 series  
SG-636 series  
Specifications (characteristics)  
Specifications  
Item  
Symbol  
SG-636 PCE  
SG-636 SCE  
2.21675 MHz  
to 40.000 MHz  
3.3 V ±0.3 V  
Remarks  
SG-636 PTF  
SG-636 PDE  
2.21675 MHz  
to 41.000 MHz  
5.0 V ±0.5 V  
2.21675 MHz  
to 40.000 MHz  
2.5 V ±0.25 V  
Output frequency range  
f0  
Supply voltage  
Storage  
Temperature temperature  
VCC  
-55 °C to +100 °C  
Store as bare product after unpacking  
T_stg  
range  
Operating  
temperature  
-20 °C to +70 °C  
T_use  
Frequency tolerance  
Current consumption  
Disable current  
C: ±100 × 10-6  
9 mA Max.  
5 mA Max.  
2 μA Max.  
-20 °C to +70 °C  
No load condition  
OE=GND  
f_tol  
ICC  
I_dis  
I_std  
17 mA Max.  
10 mA Max.  
5 mA Max.  
3 mA Max.  
Stand-by current  
=GND(SCE)  
ST  
40 % to 60 %  
45 % to 55 %  
45 % to 55 %  
CMOS load:50 % VCC level  
TTL load: 1.4 V level  
IOH=-8 mA(PTF)/-4 mA(SCE,PCE),  
/-3.2 mA(PDE)  
IOL=16 mA(PTF)/ 4 mA(SCE,PCE)  
/3.2 mA(PDE)  
Symmetry  
SYM  
VOH  
High output voltage  
Low output voltage  
VCC-0.4 V Min.  
0.4 V Max.  
VOL  
Output load condition  
(TTL)  
Output load condition  
(CMOS)  
L_TTL  
L_CMOS  
10 TTL Max.  
50 pF Max.  
L_CMOS ≤ 15 pF  
30 pF Max.  
15 pF Max.  
VIH  
VIL  
2.0 V Min.  
0.8 V Max.  
7 ns Max.  
5 ns Max.  
4 ms Max.  
80 % VCC Min.  
20 % VCC Max.  
5 ns Max.  
Output enable /  
disable input voltage  
OE Terminal or  
Terminal (SCE)  
ST  
CMOS load:20 % VCC to 80 % VCC level  
TTL load:0.4 V to 2.4 V level  
Time at minimum supply voltage to be 0 s  
+25 °C, VCC=5.0 V/3.3 V/2.5 V, First year  
Rise time / Fall time  
tr / t  
f
4 ms Max.  
Start-up time  
Frequency aging  
t_str  
f_aging  
±5 × 10-6 / year Max.  
Specifications (characteristics)  
Specifications  
SG-636 PHG  
Item  
Symbol  
SG-636 PCG  
SG-636 SCG  
Remarks  
SG-636 PTG  
Output frequency range  
Supply voltage  
Storage  
2.21675 MHz to 33.000 MHz *1  
4.5 V to 5.5 V  
f
0
VCC  
2.7 V to 3.6 V  
-55 °C to +100 °C  
Store as bare product after unpacking  
T_stg  
temperature  
Operating  
Temperature  
range  
-20 °C to +70 °C  
B: ±50 × 10-6 C: ±100 × 10-6  
25 mA Max.  
20 mA Max.  
T_use  
temperature  
Frequency tolerance  
Current consumption  
Disable curren  
f_tol  
ICC  
I_dis  
I_std  
-20 °C to +70 °C  
No load condition  
OE=GND (PTG,PHG,PCG)  
12 mA Max.  
10 mA Max.  
50 μA Max.  
Stand-by current  
=GND (SCG)  
ST  
45 % to 55 %  
50 % VCC level, L_CMOS=25 pF  
1.4 V level, L_CMOS=25 pF  
IOH=-8 mA  
IOH=-16 mA  
IOL=8 mA  
Symmetry  
SYM  
VOH  
VOL  
40 % to 60 %  
2.4 V Min.  
VCC-0.4 V Min.  
0.4 V Max.  
High output voltage  
Low output voltage  
VCC-0.4 V Min.  
0.4 V Max.  
IOL=16 mA  
Output load condition  
Output enable /  
disable input voltage  
L_CMOS  
VIH  
VIL  
25 pF Max.  
2.0 V Min.  
0.8 V Max.  
70 % VCC Min.  
20 % VCC Max.  
4 ns Max.  
OE Terminal or  
Terminal  
ST  
3.4 ns Max.  
12 ms Max.  
±5 × 10-6 / year Max.  
20 % VCC to 80 % VCC level, L_CMOS ≤ 25 pF  
TTL load:0.4 V to 2.4 V level, L_CMOS ≤ 25 pF  
t=0 at 90 % VCC  
Rise time / Fall time  
t
r / t  
f
2.4 ns Max.  
Start-up time  
Frequency aging  
t_str  
f_aging  
+25 °C, VCC=5.0 V/ 3.3 V, First year  
*1 4.1250 MHz < fo < 4.4336 MHz, 8.2500 MHz < fo < 8.8672 MHz, 16.500 MHz < fo < 17.7344 MHz : Unavailable  
http://www.epsontoyocom.co.jp  
12

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