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SFH464E7800

更新时间： 2024-11-14 22:15:55

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英飞凌 - INFINEON		二极管
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描述
GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm

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SFH464E7800 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
最大正向电流：	0.05 A	最大正向电压：	2.8 V
JESD-609代码：	e0	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度：	80 °C	最低工作温度：	-40 °C
峰值波长：	660 nm	最长响应时间：	1e-7 s
最大反向电压：	3 V	半导体材料：	GaAlAs
光谱带宽：	2.5e-8 m	子类别：	Infrared LEDs
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
视角：	46 deg	Base Number Matches：	1

SFH464E7800 数据手册

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)

GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)

SFH 464

2.7

ø0.45

Chip position

14.5

12.5

ø5.5

ø5.2

3.6

3.0

GET06625

Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464)

Cathode (SFH 483)

Approx. weight 0.5 g

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-

Anteil

● Kathode galvanisch mit dem

Gehäuseboden verbunden

● Sehr hoher Wirkungsgrad

● Hohe Zuverlässigkeit

● Radiation without IR in the visible red range

● Cathode is electrically connected to the case

● Very high efficiency

● High reliability

● Short switching time

● Same package as BP 103, LD 242

● DIN humidity category in acc. with DIN

40040 GQG

● Component subjected to aperture

measurement (E 7800)

● Kurze Schaltzeiten

● Gehäusegleich mit BP 103, LD 242

● Anwendungsklassen nach DIN 40040 GQG

● Lochblendenvermessenes Bauteil

(E 7800)

Anwendungen

Applications

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz

● LWL

● Photointerrupters

● Fiber optic transmission

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

SFH 464 E7800

Q62702-Q1745

18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, klares Epoxy-

Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (¹/₁₀’’),

Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden

18 A3 DIN 870 (TO -18), clear epoxy resin, lead

spacing 2.54 mm (¹/₁₀’’), anode marking: projection at

package bottom

Semiconductor Group

1998-07-15

12 3 4 5

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