SFH302-4

更新时间： 2025-01-18 22:43:19

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描述
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

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SFH302-4 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最大暗电源：	200 nA
JESD-609代码：	e0	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
最大通态电流：	0.05 A	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-55 °C	峰值波长：	880 nm
最大功率耗散：	0.15 W	最长响应时间：	0.000014 s
子类别：	Photo Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SFH302-4 数据手册

SFH 302

NPN-Silizium-Fototransistor

Silicon NPN Phototransistor

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

Wesentliche Merkmale

Features

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 450 nm bis 1100 nm

● Hohe Linearität

● Especially suitable for applications from

450 nm to 1100 nm

● High linearity

● TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-

Gießharz, mit Basisanschluß

● Gruppiert lieferbar

● TO-18, base plate, transparent exposy resin

lens, with base connection

● Available in groups

Anwendungen

Applications

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

SFH 302

Q62702-P1641

Q62702-P1623

Q62702-P1624

Q62702-P1625

Q62702-P1626

Q62702-P1627

SFH 302-2

SFH 302-3

SFH 302-4

SFH 302-5

SFH 302-6

10.95

Semiconductor Group

252

12 3 4 5

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