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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-XDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25 A | 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF25P20S2I-01 | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SFF25P20S2I-01S | SSDI |
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Transistor |
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| SFF25P20S2I-01TX | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| SFF25P20S2I-02 | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| SFF25P20S2I-02S | SSDI |
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Transistor |
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| SFF25P20S2I-02TX | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| SFF25P20S2I-03 | SSDI |
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-25 A, -200 V, 150 mΩ Typical P-Channel MOSFE |
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| SFF25P20S2I-03S | SSDI |
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Transistor |
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| SFF25P20S2I-03TX | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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| SFF25P20S2I-03TXV | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
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