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SFF25P20S2I-01

更新时间： 2024-11-15 21:18:43

品牌	Logo	应用领域
SSDI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	122K
描述
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD21, 3 PIN

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SFF25P20S2I-01 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SFF25P20S2I-01 数据手册

SFF25P20S2I

series

Solid State Devices, Inc.

14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

25 AMP / 200 Volts

125 mΩ

SMD 2 isolated

P-Channel MOSFET

Features:

•

polySi gate cell structure

Low ON-resistance

UIS (unclamped inductive switching) rated

Hermetically Sealed, Isolated Package

Low package inductance

Stress relief provided by flexible leads –

several options available

•

Improved (R_DS(ON)Q_G) figure of merit

TX TXV S

Level screening available

NOTE: SEE DASH# DEFINITION TABLE FOR AVAILABLE

LEAD FORMING CONFIGURATION

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

-200

±20

Drain - Source Voltage

Gate – Source Voltage

V_DSS

V_GS

Max. Continuous Drain Current

Max. Instantaneous Drain Current (Tj limited)

Max. Avalanche current

I_D1

I_D3

I_AR

@ T_C= 25ºC

250

-55 to +150

Repetitive Avalanche Energy

Total Power Dissipation

Operating & Storage Temperature

Maximum Thermal Resistance

E_AR

P_D

T_OP& T_STG

ºC

@ T_C= 25ºC

Junction to Case

0.5

ºC/W

R_0JC

Electrical Characteristics (@25^oC, unless otherwise specified)

Symbol Min Typ Max Units

Drain to Source Breakdown Voltage

V_GS= 0V, I_D= 250µA

200

––

BV_DSS

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 12A, Tj= 25^oC

––

110

125

120

––

mΩ

Drain to Source On State Resistance

Gate Threshold Voltage

V_GS= 10V, I_D= 25A, Tj= 25^oC

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= ±20V

3.0

––

5.0

V_GS(th)

I_GSS

––

±100

Gate to Source Leakage

V_DS= 160V, V_GS= 0V, T_j= 25^oC

––

µA

Zero Gate Voltage Drain Current

I_DSS

V_DS= 160V, V_GS= 0V, T_j= 125^oC

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

DATA SHEET #: FT0009A

DOC

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

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