SFF23N60S2

更新时间： 2024-11-18 09:28:31

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SSDI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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Avalanche Rated N-channel MOSFET

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SFF23N60S2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	21 A	最大漏源导通电阻：	0.32 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SFF23N60S2 数据手册

SFF23N60S1

SFF23N60S2

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

21 AMP, 600 Volts, 320 mΩ

Avalanche Rated N-channel

MOSFET

SMD1, 2

Features:

•

Rugged poly-Si gate

Lowest ON-resistance in the industry

Avalanche rated

Hermetically Sealed, Hot Case power SMD

Low Total Gate Charge

Fast Switching

Note

TX, TXV, S-Level screening available

Improved (R_DS(ON)Q_G) figure of merit

1/ maximum current limited by package configuration

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

600

Drain - Source Voltage

V_DSS

±30

±40

continuous

transient

Gate – Source Voltage

V_GS

@ T_C= 25ºC

@ T_C= 125ºC

I_D1

I_D2

Max. Continuous Drain Current (package limited)

Pulsed Drain (Instantaneous) Current (Tj limited)

Max. Avalanche current

I_D3

I_AR

@ T_C= 25ºC

@ L= 0.1 mH

@ T_C= 25ºC

1500 / 30

300

Single / Repetitive Avalanche Energy

Total Power Dissipation

E_AS/ E_AR

P_D

-55 to +150

0.42 (typ 0.3)

Operating & Storage Temperature

Maximum Thermal Resistance

ºC

T_OP& T_STG

R_0JC

Junction to Case

ºC/W

SMD 1

SMD 2

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: FT0029B

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