SFF23N60M

更新时间： 2024-11-18 09:28:31

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Avalanche Rated N-channel MOSFET

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SFF23N60M 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.32 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-MSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SFF23N60M 数据手册

SFF23N60M

SFF23N60Z

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

15 AMP, 600 Volts, 320 mΩ

Avalanche Rated N-channel

MOSFET

TO-254

TO-254Z

Features:

•

Advanced low gate charge process

Lowest ON-resistance in the industry

Avalanche rated

Hermetically Sealed, Isolated Package

Low Total Gate Charge

Fast Switching

TX, TXV, S-Level screening available

Improved (R_DS(ON)Q_G) figure of merit

Note 1: maximum current limited by package configuration

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

Drain - Source Voltage

V_DSS

600

±30

±40

continuous

transient

Gate – Source Voltage

V_GS

@ T_C= 25ºC

@ T_C= 125ºC

I_D1

I_D2

Max. Continuous Drain Current (package limited)

Max. Instantaneous Drain Current (Tj limited)

Max. Avalanche current

I_D3

I_AR

@ T_C= 25ºC

@ L= 0.1 mH

@ T_C= 25ºC

Single / Repetitive Avalanche Energy

Total Power Dissipation

E_AS/ E_AR

P_D

1500 / 30

150

Operating & Storage Temperature

-55 to +150

0.83 (typ.0.6)

ºC

T_OP& T_STG

Rjc

Maximum Thermal Resistance

(Junction to Case)

ºC /W

TO254

(M)

TO254Z

(Z)

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: FT0028A

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