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SFF230Z

更新时间: 2024-11-18 03:32:35
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SSDI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 239K
描述
9 AMP 200 Volts 0.40OHM N-Channel POWER MOSFET

SFF230Z 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-254Z
包装说明:FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.67Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):9 A最大漏极电流 (ID):9 A
最大漏源导通电阻:0.4 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:S-MSFM-P3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:METAL
封装形状:SQUARE封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):63 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SFF230Z 数据手册

 浏览型号SFF230Z的Datasheet PDF文件第2页 

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