5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.67 | 雪崩能效等级（Eas）： | 54 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.49 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-257 |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF230M | SSDI |
获取价格 |
9 AMP 200 Volts 0.40OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
| SFF230M6 | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF230M6GZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF230MGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF230P6 | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF230P6GZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF230TGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF230VGZ | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
| SFF230Z | SSDI |
获取价格 |
9 AMP 200 Volts 0.40OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
| SFF230Z6 | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
