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SFF230

更新时间: 2024-11-18 03:32:35
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SSDI /
页数 文件大小 规格书
2页 227K
描述
9 AMP 200 Volts 0.40OHM N-Channel POWER MOSFET

SFF230 技术参数

生命周期:Active包装说明:CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.67
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):9 A
最大漏源导通电阻:0.4 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-CBCC-N3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SFF230 数据手册

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