SF52G-TP

更新时间： 2024-01-31 06:33:51

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美微科 - MCC		/
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2页	92K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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SF52G-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-201AD
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.95 V
JEDEC-95代码：	DO-201AD	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SF52G-TP 数据手册

M C C

SF51

THRU

SF57

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁ ꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

Superfast recovery times-epitaxial construction

5.0 Amp Super Fast

Rectifier

Low forward voltage, high current capability

Low leakage

High surge capability

50 to 600 Volts

Maximum Ratings

Operating Junction Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

DO-201AD

Maximum Thermal Resistance; 25°C/W Junction To Ambient

Maximum

RMS

Voltage

Maximum DC

Blocking

MCC

Part Number

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

SF51

SF52

SF53

SF54

SF35

SF56

SF57

50V

100V

150V

200V

300V

400V

600V

35V

70V

50V

100V

150V

200V

300V

400V

600V

105V

140V

210V

280V

420V

Cathode

Mark

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

I_F(AV)

5.0A

A = 55°C

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

150A

8.3ms, half sine

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

SF51-SF54

V_F

_FM= 5.0A;

0.95V

1.25V

1.70V

T = 25°C

SF55-SF56

SF57

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

Typical Junction

Capacitance

DIMENSIONS

5.0uA

300uA

T = 25°C

T = 125°C

INCHES

MIN

---

.048

1.000

MIN

I_R

DIM

MAX

.370

.250

.052

---

MAX

9.50

6.40

1.30

---

NOTE

---

1.20

25.40

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

C_J

45pF

35nS

Maximum Reverse

Recovery Time

I_F=0.5A, I_R=1.0A,

I_RR=0.25A

T_RR

Pulse Test: Pulse width 300 usec, Duty cycle 1%.

www.mccsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SF52H31	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
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