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SF50D13

更新时间: 2024-11-28 19:30:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 122K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 78.5 A, 200 V, SCR

SF50D13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.63
外壳连接:ANODE标称电路换相断开时间:150 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:100 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:120 mAJESD-30 代码:O-MUPM-D2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:78.5 A重复峰值关态漏电流最大值:10000 µA
断态重复峰值电压:200 V重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

SF50D13 数据手册

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