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SF33G

更新时间： 2024-11-27 15:18:39
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE /
页数 文件大小 规格书
4页 213K
描述
DO-201AD

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SF33G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：DO-27, 2 PINReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.61Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：150 V
最大反向电流：5 µA最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SF33G 数据手册

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RoHS  
SF31G THRU SF38G  
COMPLIANT  
Super Fast Recovery Rectifier  
Features  
● Ultrafast reverse recovery time  
● Low leakage current  
● Low switching losses, high efficiency  
● High forward surge capability  
● Glass passivated chip junction  
● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106  
Typical Applications  
For use in high frequency rectification and freewheeling  
application in switching mode converters and inverters  
for consumer, computer and telecommunication.  
Mechanical Data  
●
ackage: DO-201AD(DO-27)  
P
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating, RoHS-compliant  
● Terminals: Tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
●
Color band denotes the cathode end  
Polarity:  
(Ta=25℃Unless otherwise specified）  
■Maximum Ratings  
SF31G SF32G SF33G SF34G SF35G SF36G SF37G SF38G  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
SF31G SF32G SF33G SF34G SF35G SF36G SF37G SF38G  
Device marking code  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
500  
350  
500  
600  
420  
600  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
100  
Maximum DC blocking Voltage  
Average Forward Current  
@60Hz sine wave, Resistance load, Ta =50℃  
IF(AV)  
A
3.0  
125  
250  
65  
Forward Surge Current (Non-repetitive)  
@60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃  
A
I
FSM  
Forward Surge Current (Non-repetitive)  
@1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃  
Current squared time  
@1ms≤t8.3≤ms Tj=25℃，Rating of per diode  
A2s  
pF  
I2t  
Cj  
Typical junction capacitance  
@Measured at 1MHz and Applied Reverse  
Voltage of 4.0 V.D.C  
62  
33  
30  
T
℃
℃
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
Storage Temperature  
Junction Temperature  
stg  
T
j
（T =25℃Unless otherwise specified）  
■Electrical Characteristics  
a
SF31G SF32G SF33G SF34G SF35G SF36G SF37G SF38G  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
TEST CONDITIONS  
Maximum instantaneous  
forward voltage drop per diode  
V
F
I
=3.0A  
V
0.95 1.3 1.7  
FM  
T =25℃  
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage per  
diode  
2.5  
j
I
μA  
ns  
R
100  
T =125℃  
j
IF=0.5A,IR=1.0A,  
Irr=0.25A  
Maximum reverse recovery time  
35  
trr  
1 / 4  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
S-A157  
Rev.2.2, 30-Jan-21  
www.21yangjie.com  
1234

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与SF33G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SF33H31 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
SF33H31-1 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
SF33H32 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
SF33H36-2 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
SF33H36-3 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
SF33H36-4 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

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