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SF25GZ51

更新时间： 2024-02-04 16:06:20
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东芝 - TOSHIBA 栅极触发装置可控硅整流器功率控制局域网
页数 文件大小 规格书
6页 240K
描述
MEDIUM POWER CONTROL APPLICATIONS

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SF25GZ51 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.1
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：20 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：100 mAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大漏电流：0.02 mA通态非重复峰值电流：350 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：25000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：39 A重复峰值关态漏电流最大值：20 µA
断态重复峰值电压：400 V重复峰值反向电压：400 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SF25GZ51 数据手册

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SF25GZ51,SF25JZ51  
TOSHIBA THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE  
SF25GZ51,SF25JZ51  
MEDIUM POWER CONTROL APPLICATIONS  
Unit in mm  
l Repetitive Peak Off−State Voltage : V  
= 400, 600 V  
= 400, 600 V  
DRM  
RRM  
Repetitive Peak Reverse Voltage : V  
l Average On−State Current  
l Isolation Voltage  
: I  
: V  
= 25 A  
T (AV)  
Isol  
= 1500 V AC  
MAXIMUM RATINGS  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
400  
UNIT  
V
Repetitive Peak  
SF25GZ51  
SF25JZ51  
V
Off−State Voltage and  
Repetitive Peak Reverse  
Voltage  
DRM  
RRM  
V
600  
Non−Repetitive Peak  
Reverse Voltage  
SF25GZ51  
SF25JZ51  
500  
720  
V
V
RSM  
(Non−Repetitive < 5 ms,  
T = 0~125°C)  
j
Average On−State Current  
I
25  
A
A
T (AV)  
(Half Sine Waveform)  
R.M.S On−State Current  
I
39  
T (RMS)  
JEDEC  
EIAJ  
TOSHIBA  
―
350 (50 Hz)  
385 (60 Hz)  
612  
Peak One Cycle Surge On−State  
Current (Non−Repetitive)  
―
I
A
TSM  
13−16A1B  
2
2
2
Weight : 5.9g  
I t Limit Value  
I t  
A s  
Critical Rate of Rise of On−State  
di / dt  
100  
A / µs  
Current  
(Note)  
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Forward Gate Voltage  
Peak Reverse Gate Voltage  
Peak Forward Gate Current  
Junction Temperature  
P
5
0.5  
W
W
V
GM  
P
G (AV)  
V
10  
FGM  
V
-5  
V
RGM  
I
2
A
GM  
T
-40~125  
-40~125  
1500  
°C  
°C  
V
j
Storage Temperature Range  
Isolation Voltage (AC, t = 1 min.)  
T
stg  
V
Isol  
Note : di / dt Test Condition, i = 30mA, t = 10µs, t ≤ 250ns  
gw gr  
G
1
2001-05-10  
123456

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