2N7225

更新时间： 2024-02-16 20:35:26

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SENSITRON		晶体晶体管功率场效应晶体管
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3页	41K
描述
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL

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2N7225 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	27.4 A	最大漏源导通电阻：	0.105 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	R-MSFM-P3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	110 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7225 数据手册

SENSITRON

2N7225

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 271, REV. A

HERMETIC POWER MOSFET

N-CHANNEL

DESCRIPTION: 200 VOLT, 0.105 OHM, 27.4 A MOSFET IN A HERMETIC TO-254 PACKAGE.

(add suffix S for up-screening to JTX Level – 2N7225S)

MAXIMUM RATINGS

ALL RATINGS ARE AT T_A= 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.

RATING

GATE TO SOURCE VOLTAGE

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNITS

Volts

Amps

V_GS

I_D

±20

27.4

CONTINUOUS DRAIN CURRENT V_GS=10V, T_C= 25°C

V_GS=10V, T_C= 100°C

I_DM

T_OP/T_STG

-55

110

150

0.83

150

Amps

PULSED DRAIN CURRENT

@ T_C= 25°C

OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE

TERMAL RESISTANCE JUNCTION TO CASE

TOTAL DEVICE DISSIPATION @ T_C= 25°C

°C

°C/W

Watts

R_θJC

P_D

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE

BV_DSS

200

Volts

V_GS= 0V, I_D= 1.0mA

DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE

V_GS= 10V, I_D= 17A

R_DS(ON)

V_GS(th)

g_fs

0.100

0.105

4.0

V_GS= 10V, I_D= 27.4A

GATE THRESHOLD VOLTAGE

V_DS= V_GS, I_D=

2.0

9.0

Volts

S(1/Ω)

μA

250μA

FORWARD TRANSCONDUCTANCE

V_DS≥ 15V, I_DS= 17A

ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT

V_DS= 0.8xMax. Rating, V_GS= 0V

V_DS= 0.8xMax. Rating

_GS= 0V, T_J= 125°C

GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD @ RATED

GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE V_GS

I_DSS

250

I_GSS

100

-100

115

TOTAL GATE CHARGE

GATE TO SOURCE CHARGE

V_DS

V_GS= 10 VOLTS

50% RATED

Q_g

Q_gs

Q_gd

8.0

GATE TO DRAIN CHARGE

TURN ON DELAY TIME

RISE TIME

TURN OFF DELAY TIME

FALL TIME

RATED I_D

V_DD= 100V

RATED I_D

R_G= 2.35Ω

t_d(ON)

t_r

t_d(ON)

t_f

nsec

Volts

190

170

130

V_SD

1.9

DIODE FORWARD VOLTAGE

27.4A,

T_J= 25°C, I_S=

V_GS= 0V

T_J= 25°C

I_f= RATED ID

di/dt =

t_rr

Q_rr

950

9.0

nsec

μC

DIODE REVERSE RECOVERY TIME

REVERSE RECOVERY CHARGE

100A/sec

INPUT CAPACITANCE

OUTPUT CAPACITANCE

V_GS= 0 VOLTS

C_iss

C_oss

3500

700

_DS= 25 VOLTS

• 221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798 •

• World Wide Web Site - www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7225_10	MICROSEMI	N-CHANNEL MOSFET	获取价格
2N72251N6036	MICROSEMI	1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507	获取价格
2N72251N6036A	MICROSEMI	1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507	获取价格
2N72251N6036AE3	MICROSEMI	1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507	获取价格
2N72251N6036E3	MICROSEMI	1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507	获取价格
2N72251N6072	MICROSEMI	1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507	获取价格

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