SED110LE30

更新时间： 2024-09-16 02:52:15

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描述
110 AMP 30 VOLTS SCHOTTKY RECTIFIER

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SED110LE30 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	HERMETIC SEALED PACKAGE-1
针数：	1	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.72	应用：	HIGH POWER
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.4 V	JESD-30 代码：	R-XSSO-G1
最大非重复峰值正向电流：	1000 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	110 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

SED110LE30 数据手册

PRELIMINARY

SED110LB30

SED110LE30

SOLID STATE DEVICES, INC.

14005 Stage Road * Santa Fe Springs, Ca 90670

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

110 AMP

30 VOLTS

Designer's Data Sheet

SCHOTTKY

RECTIFIER

FEATURES:

Low Reverse Leakage

Low Forward Voltage Drop

SEDPACK 3

Hermetically Sealed Power Surface Mount Package

Guard Ring for Overvoltage Protection

Eutectic Die Attach

175^oC Operating Temperature

TX, TXV and Space Level Screening Available

SYMBOL

VALUE

UNITS

Volts

Maximum Ratings

RRM

RWM

Peak Repetitive Reverse and DC Blocking Voltage

Average Rectified Forward Current

110

Amps

(Resistive Load, 60Hz, Sine Wave, T = 100 ^oC

Peak Surge Current

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave Superimposed on Io, allow

1000

-55 TO +175

0.3

FSM

junction to reach equilibrium between pulses, T = 25^oC)

Operating and Storage Temperature

Top & Tstg

^oC

Maximum Thermal Resistance

Junction to Case

2JC

^oC/W

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: SH0015A

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