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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 放大器类型： | SAMPLE AND HOLD CIRCUIT |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP14,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | +-15 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Sample and Hold Circuits | 最大压摆率： | 29 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | NO |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SE50PAB | VISHAY | Oxide planar chip junction |
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| SE50PABHM3/H | VISHAY | Rectifier Diode, |
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| SE50PAB-M3/I | VISHAY | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.6A, 100V V(RRM), Silicon, DO-221BC, |
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| SE50PAD | VISHAY | Oxide planar chip junction |
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| SE50PADHM3/H | VISHAY | Rectifier Diode, |
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| SE50PADHM3/I | VISHAY | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.6A, 200V V(RRM), Silicon, DO-221BC, |
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