SDR6305S

更新时间： 2024-11-12 13:13:23

品牌	Logo	应用领域
SSDI		整流二极管功效
页数	文件大小	规格书
2页	67K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 100V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETIC SEALED PACKAGE-1

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SDR6305S 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-5
包装说明：	HERMETIC SEALED PACKAGE-1	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.34
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-5
JESD-30 代码：	O-MUPM-D1	最大非重复峰值正向电流：	800 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最大输出电流：	70 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

SDR6305S 数据手册

SDR6304 thru SDR6307

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

Designer’s Data Sheet

Part Number/Ordering Information ^1/

SDR

70 Amp

__ __

│

└

Ultra Fast Recovery Rectifier

Screening ^2/__ = Not Screened

TX = TX Level

50 - 200 Volts

50 nsec

TXV = TXV Level

S = S Level

Family/Voltage

6304 = 50V

Features:

•

Fast Recovery: 50nsec Maximum

Low Forward Voltage Drop

Low Reverse Leakage Current

Single Chip Construction

6305 = 100V

6306 = 150V

6307 = 200V

Hermetically Sealed

For High Efficiency Applications

Replacement for 1N6304, 1N6305, and 1N6306

TX, TXV, and S-Level Screening Available ^2/

Maximum Ratings ^3/

Symbol

Value

Units

Volts

SDR6304

SDR6305

SDR6306

SDR6307

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak Repetitive Reverse Voltage and

DC Blocking Voltage @ 100µA

100

150

200

Average Rectified Forward Current

(Resistive Load, 60 Hz Sine Wave, T_A= 25 °C)

800

I_FSM

Amps

ºC

Peak Surge Current

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, T_A= 25 °C)

Operating & Storage Temperature

T_OP& T_STG

-55 to +175

Thermal Resistance (Junction to Case)

0.8

ºC/W

R_θJC

Notes:

1/ For ordering information, price, operating curves, and availability- Contact factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available on request.

3/ Unless otherwise specified, all maximum ratings/electrical characteristics @25°C.

DO-5

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RC0141A

DOC

中文翻译

下载PDF

与SDR6305S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SDR6305TX	SSDI	获取价格	暂无描述
SDR6305TXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 100V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETIC SEALED PACK
SDR6306	SSDI	获取价格	Ultra Fast Recovery Rectifier
SDR6306-LL	SSDI	获取价格	70 A, 150 V Ultrafast Recovery Rectifier
SDR6306TX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 150V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETIC SEALED PACK
SDR6306TXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 150V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETIC SEALED PACK
SDR6307	SSDI	获取价格	Ultra Fast Recovery Rectifier
SDR6307-LL	SSDI	获取价格	70 A, 200 V Ultrafast Recovery Rectifier
SDR6307TX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 200V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETIC SEALED PACK
SDR6307TXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 200V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETIC SEALED PACK

与SDR6305S相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

8
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

9
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SDR6305S

SDR6305S 技术参数

SDR6305S 数据手册

与SDR6305S相关器件

与SDR6305S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SDR6305S

SDR6305S 技术参数

SDR6305S 数据手册

与SDR6305S相关器件

与SDR6305S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？