SDK06

更新时间： 2024-02-28 00:58:42

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
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Surface-mount MOS FET Array

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SDK06 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16
针数：	16	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ
配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	47 V
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	0.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G16
元件数量：	4	端子数量：	16
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SDK06 数据手册

Surface-mount MOS FET Array SDK06 (under development)

Absolute Maximum Ratings

Electrical Characteristics

External Dimensions SMD-16A

(Ta =25ºC)

Unit

Symbol

Ratings

52±5

±20

Unit

Ratings

typ

Symbol

Test Conditions

min

max

DSS

GSS

1mA,

_GS= ±20V

40V,

10V,

(BR) DSS

±1.0

100

2.5

2.54^±0.25

0.89^±0.15

0.25

+0.15

–0.05

0.75

±3

GSS

µA

±6

D (pulse)

DSS

250µA

1.0

1.8

3 (Tc =25ºC, 4 circuits operate)

150

10V,

4V,

I =

1.0A

ºC

e (yfs

)

0.2

0.25

200

120

0.25

0.3

Ω

+0.15

–0.05

0.3

20.0max

19.56^±0.2

DS (ON)

Ω

Tstg

I =

–55 to +150

µs

Ciss

Coss

Crss

P_W100µs, duty 1%

V_DD12V, 10mH, unclamped, R_G= 10Ω

10V

1.0MHz

d (on)

12V

12Ω

2.0

7.4

3.3

4.2

1.0

d (off)

a) Type No.

b) Lot No.

50Ω,

10kΩ

(Unit: mm)

1A,

V =

1.5

Equivalent Circuit Diagram

15 16

13 14

11 12

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