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SDK04

更新时间： 2024-01-01 22:14:25

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三垦 - SANKEN		/
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1页	15K
描述
N-channel General purpose

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SDK04 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16	针数：	16
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	2.7 mJ	配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.95 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G16	元件数量：	4
端子数量：	16	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	5 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SDK04 数据手册

N-channel

• • •

External dimensions

SDK04 General purpose

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Specification

typ

Symbol

Ratings

Unit

Symbol

Unit

Conditions

ID=100µA, VGS=0V

min

max

VDSS

VGSS

100

V(BR)DSS

IGSS

100

µA

±20

±100

100

2.0

VGS=±20V

VDS=100V, VGS=0V

VDS=10V, ID=250µA

VDS=10V, ID=1.0A

VGS=10V, ID=1.0A

VGS=4V, ID=1.0A

VDS=25V,

±2

IDSS

ID(pulse)

EAS*

±5 (PW≤100µs, Du≤1%)

VTH

1.0

1.5

2.7

3 (Ta=25°C, 4-circuit operation)

150

°C

Re(yfs)

0.60

0.75

160

0.80

0.95

Ω

RDS(ON)

Tch

Ω

Tstg

–40 to +150

Ciss

Coss

Crss

td(on)

* : VDD=25V, L=1mH, IL=2A, unclamped, RG=50Ω, see Fig. E on page 15.

f=1.0MHz,

VGS=0V

■Equivalent circuit diagram

ID=1A, VDD 50V,

RL=50Ω,

15,16

13,14

11,12

9,10

td(off)

VGS=10V,

see Fig. 3 on page 16.

ISD=2A, VGS=0V

ISD=±100mA

VSD

trr

1.0

140

1.5

Characteristic curves

171

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