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SDC03

更新时间： 2024-10-13 22:22:11
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 24K
描述
NPN Darlington With built-in avalanche diode

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SDC03 技术参数

生命周期：Active包装说明：SD, SMD-16
针数：16Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.55其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.057
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：70 V
配置：4 BANKS, DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：2000
JESD-30 代码：R-PDSO-G16元件数量：4
端子数量：16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz

SDC03 数据手册

  
NPN Darlington  
• • •  
With built-in avalanche diode  
External dimensions  
SD  
SDC03  
E
Absolute maximum ratings  
Electrical characteristics  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
Specification  
typ  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
max  
10  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
60±10  
V
V
ICBO  
IEBO  
VCEO  
hFE  
µA  
mA  
V
VCB=50V  
VEB=6V  
60±10  
1.1  
50  
3.5  
6
V
60  
5000  
1.2  
1.8  
1.3  
0.5  
4.0  
1.0  
50  
70  
IC=10mA  
1.5  
A
2000  
12000  
1.4  
VCE=4V, IC=1A  
ICP  
2.5 (PW≤1ms, Du≤10%)  
A
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VFEC  
ton  
V
V
IC=1A, IB=2mA  
IB  
0.1  
3 (Ta=25°C)  
150  
A
2.2  
PT  
W
°C  
°C  
°C/W  
1.8  
V
IFEC=1A  
VCC 30V,  
Tj  
µs  
µs  
µs  
MHz  
pF  
Tstg  
θ j–a  
–40 to +150  
41.6  
tstg  
IC=1A,  
tf  
IB1=–IB2=2mA  
VCE=12V, IE=–0.1A  
VCB=10V, f=1MHz  
fT  
■Equivalent circuit diagram  
Cob  
25  
15,16  
13,14  
11,12  
9,10  
8
1
3
5
7
R1  
R2  
2
4
6
R1: 3.5kΩ typ R2: 200Ω typ  
Characteristic curves  
IC-VCE Characteristics (Typical)  
hFE-IC Characteristics (Typical)  
hFE-IC Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
10000  
5000  
10000  
IB=10mA  
typ  
5000  
1000  
500  
1000  
500  
100  
50  
100  
50  
0
1
2
3
4
5
6
0.03 0.05  
0.1  
0.5  
1
2.5  
0.03 0.05  
0.1  
0.5  
1
2.5  
V
CE (V)  
I
C (A)  
I
C (A)  
VCE(sat)-IC Temperature Characteristics (Typical)  
VCE(sat)-IB Characteristics (Typical)  
IC-VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
(IC / IB=1000)  
2.5  
3
2
1
3
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
Ta=125°C  
2
75°C  
25°C  
IC=2A  
–30°C  
1A  
1
0
0.5A  
0
0.2  
0
1
2
3
0.5  
1
2.5  
0.1  
0.5  
1
5
10  
50 100  
V
BE (V)  
I
C
(A)  
I
B
(mA)  
θ j-a-PW Characteristics  
PT-Ta Characteristics  
Safe Operating Area (SOA)  
50  
5
3
2
4
3
1-1 Chip Operation  
2-2 Chip Operation  
3-3 Chip Operation  
4-4 Chip Operation  
2
1
10  
5
0.5  
1
1
0
Single Pulse  
Without Heatsink  
0.1  
T
a=25°C  
1
1
0.05  
3
5
10  
50 100  
500 1000  
0
50  
100  
150  
5
10  
50  
100  
PW (mS)  
Ta (°C)  
V
CE (V)  
162  
1

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