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SDB720WS

更新时间： 2024-11-20 14:53:27

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先科 - SWST		肖特基二极管
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3页	154K
描述
肖特基二极管

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SDB720WS 数据手册

SDB720WS

Silicon Epitaxial Planar Schottky Barrier Diode

for high frequency rectification

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Anode

Top View

Simplified outline SOD-323 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_RM

V_R

Value

Unit

Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

Average Forward Rectified Current

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

Junction Temperature

I_F(AV)

I_FSM

T_j

0.5

125

℃

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Breakdown Voltage

V_(BR)R

at I_R= 100 μA

Forward Voltage

at I_F= 500 mA

V_F

I_R

0.55

Reverse Current

at V_R= 35 V

100

µA

Terminal Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

C_T

t_rr

110

Reverse Recovery Time

at I_F= I_R= 100 mA, I_rr= 10 mA, R_L= 100 Ω

1 / 3

Dated: 14/03/2023 Rev: 04

12 3

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