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SDB720S

更新时间： 2024-11-20 14:53:59

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先科 - SWST		肖特基二极管
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肖特基二极管

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SDB720S 数据手册

SDB720S

Schottky Barrier Diode

for high speed switching circuit and small

current rectification applications

SOT-23 Plastic Package

1. Cathode 2. Cathode 3. Anode

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Symbol

V_RRM

V_R

Value

Unit

Parameter

Repetitive Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

200

Average Forward Current

Non-repetitive Peak Surge Current

Junction Temperature

I_F(AV)

I_FSM

T_j

125

℃

-55 to +125

Storage Temperature Range

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_(BR)R

V_F

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 100 µA

Forward Voltage

at I_F= 200 mA

0.55

Reverse Current

at V_R= 30 V

μA

I_R

Total Capacitance

at V_R= 0, f = 1 MHz

C_T

1 / 3

Dated : 30/08/2023 Rev:02

12 3

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