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SDB13HS

更新时间: 2024-09-23 19:34:15
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 112K
描述
Rectifier Diode,

SDB13HS 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.72二极管类型:RECTIFIER DIODE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

SDB13HS 数据手册

 浏览型号SDB13HS的Datasheet PDF文件第2页 
SDB13HS, SDB14HS  
IFAV = 1 A  
VRRM = 30, 40 V  
SDB13HS, SDB14HS  
VF1 < 0.47 V IFSM = 4.4/5 A  
Tjmax = 125°C  
SMD Low Barrier Schottky Rectifier Diodes  
SMD Gleichrichterdioden mit niedriger Schottky-Barriere  
Version 2015-09-23  
Typical Applications  
Output Rectification in DC/DC  
Converters, Polarity Protection,  
Free-wheeling diodes  
Typische Anwendungen  
Ausgangsgleichrichtung in Gleich-  
stromwandlern, Verpolschutz  
Freilaufdioden  
Power SOD-323  
1.4  
Commercial grade 1)  
Standardausführung 1)  
0.6  
Features  
Besonderheiten  
Sehr niedrige Fluss-Spannung  
Ultrakleine, flache Bauform  
Hohe Leistungsabgabe  
Very low forward voltage drop  
Ultra-small low profile package  
High power dissipation  
Compliant to RoHS, REACH,  
Conflict Minerals 1)  
0.5  
Konform zu RoHS, REACH,  
Konfliktmineralien 1)  
2.5±0.2  
1.9±0.2  
Mechanical Data 1)  
Mechanische Daten 1)  
Taped and reeled  
3000 / 7“  
Gegurtet auf Rolle  
Gewicht ca.  
Type  
Code  
Weight approx.  
0.005 g  
UL 94V-0  
260°C/10s  
MSL = 1  
Case material  
Gehäusematerial  
Solder & assembly conditions  
Löt- und Einbaubedingungen  
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings and characteristics 2)  
Grenz- und Kennwerte 2)  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Forward voltage  
Durchlass-Spannung  
VF [V] at / bei IF [A]  
Marking  
Kennzeichnung  
SDB13HS  
SDB14HS  
30  
40  
< 0.47  
< 0.52  
1.0  
0.7  
A3  
U4  
Power dissipation − Verlustleistung  
Ptot  
IFAV  
IFRM  
600 mW 3)  
1000 mA 3)  
0.9 A 3)  
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
f > 15 Hz  
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle  
TA = 25°C  
IFSM  
4.4/5 A  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-40...+125°C  
-40...+125°C  
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book  
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches  
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben  
Mounted on P.C. board with 36 mm2 copper pad at each terminal  
2
3
Montage auf Leiterplatte mit 36 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 

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