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SD930-B

更新时间： 2024-09-22 03:28:39
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES /
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3页 84K
描述
HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SD930-B 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-201AD
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-201AD, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.58
其他特性：LOW POWER LOSS, HIGH SURGE CAPABILITY应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.42 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：2150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：9 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

SD930-B 数据手册

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SD930 / SD940 / SD945  
HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
High Current Capability and Low Forward Drop  
High Surge Capacity  
A
B
A
Guard Ring for Transient Protection  
Low Power Loss, High Efficiency  
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 5)  
C
Mechanical Data  
D
·
Case: DO-201AD  
DO-201AD  
Min  
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Dim  
A
Max  
—
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
25.40  
7.20  
Terminals: Finish ¾ Bright Tin. Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
B
9.50  
1.30  
5.30  
C
1.20  
·
·
·
·
Polarity: Cathode band  
D
4.80  
Mounting Position: Any  
All Dimensions in mm  
Ordering Information: See Last Page  
Weight: 1.1 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
SD930  
SD940  
SD945  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
40  
45  
V
Maximum Average Forward Current  
(Note 2)  
@ TC = 120°C  
IO  
9.0  
A
A
Maximum Peak One-Cycle  
Surge Current  
@ 5µs Sine Wave  
@ 10ms Sine Wave  
2150  
340  
IFSM  
Forward Voltage (Note 1)  
@ IF = 9.0A, TJ = 25°C  
@ IF = 9.0A, TJ = 125°C  
@ IF = 18A, TJ = 25°C  
@ IF = 18A, TJ = 125°C  
0.48  
0.42  
0.57  
0.52  
VFM  
V
Voltage Rate of Change  
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage (Note 1)  
dv/dt  
IRM  
10,000  
V/µs  
mA  
@TJ = 25°C  
@ TJ = 125°C  
0.8  
70  
Cj  
Maximum Junction Capacitance (Note 2)  
900  
8.0  
pF  
K/W  
°C  
RqJL  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 4)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Notes:  
1. Pulse width £ µs - Duty Cycle £ 2%.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V.  
3. Device mounted to heat sink with 1/8" lead length.  
4. Thermal Resistance from Junction to Lead Vertical PC Board Mounting, 9.5mm Lead Length.  
5. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS23026 Rev. 4 - 2  
1 of 3  
SD930/SD940/SD945  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Quick Disconnect, Female, for 0.50-1.00mm² (1

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