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SD860T PDF预览

SD860T

更新时间： 2024-09-26 22:43:23
品牌 Logo 应用领域
强茂 - PANJIT 二极管瞄准线功效可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
2页 44K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER(VOLTAGE - 20 to 100 Volts CURRENT - 8.0 Amperes)

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SD860T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-251AB包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.51其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
JEDEC-95代码：TO-251ABJESD-30 代码：R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流：85 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：60 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

SD860T 数据手册

 浏览型号SD860T的Datasheet PDF文件第2页 
SD820T Thru SD8100T  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
VOLTAGE - 20 to 100 Volts CURRENT - 8.0 Amperes  
FEATURES  
TO-251AB  
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability  
Classification 94V-O  
• For thorough hole applications  
• Low profile package  
• Built-in strain relief  
• Metal to silicon rectifier majority carrier conduction  
• Low power loss, High efficiency  
• High current capability, low VF  
• High surge capacity  
4
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and  
polarity protection applications  
3
1
• High temperature soldering guaranteed:260°C/10 seconds at terminals  
2
MECHANICAL DATA  
2
4
3
Case: TO-251AB molded plastic  
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026  
Polarity: Color band denotes cathode  
Weight: 0.015 ounce, 0.4 gram.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Resistive or inductive load.  
SYMBOLS  
SD820T  
20  
SD830T  
30  
SD840T  
40  
SD850T  
50  
SD860T  
SD880T  
80  
SD8100T  
100  
UNITS  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
V
RRM  
RMS  
DC  
60  
42  
60  
14  
21  
28  
35  
50  
70  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
20  
30  
40  
50  
80  
100  
Maximum Average Forward Rectified Current  
I (AV  
)
8.0  
150  
0.55  
8.0  
150  
0.55  
8.0  
150  
0.55  
8.0  
150  
0.75  
8.0  
150  
0.75  
8.0  
150  
0.85  
8.0  
150  
0.85  
Amps  
Amps  
at TC  
=75oC  
Peak Forward Surge Current  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load(JEDEC method)  
I FSM  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 8.0A  
(Note 1)  
V
I
F
Volts  
mA  
Maximum DC Reverse Current (Note 1)T  
A
=25oC  
0.2  
20  
0.2  
20  
0.2  
20  
0.2  
20  
0.2  
20  
0.2  
20  
0.2  
20  
R
at Rated DC Blocking Voltage  
TA  
=100oC  
RθJC  
RθJA  
6
80  
6
80  
6
80  
6
80  
6
80  
6
80  
6
80  
Maximum Thermal Resistance (Note 2)  
oC / W  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
J
-55 to +125  
-65 to +150  
oC  
oC  
T
STG  
NOTES:  
1. Pulse Test with PW=300µsec, 2% Duty Cycle.  
2. Mounted on P.C. Board with 14mm2 (.013mm thick) copper pad areas.  
Part Number: SD820T - SD8100T  
PAGE 1  
12

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与SD860T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SD860-T DIODES

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COM
SD860-TP MCC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COM
SD860-TP-HF MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
SD860YS PANJIT

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 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
SD860YS-T3 WTE

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SD862-04 FUJI

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SD863-04 FUJI

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 		SCHOTTKY BARRIER DIODE
SD863-06 FUJI

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 		SCHOTTKY BARRIER DIODE
SD863-10 FUJI

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 		SCHOTTKY BARRIER DIODE

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