Datasheet > SD60030

SD60030

更新时间： 2024-09-24 21:10:15

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	31K
描述
L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, PLASTIC, M243, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SD60030 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, M243, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SD60030 数据手册

SD60030

RF POWER TRANSISTORS

The LdmoST FAMILY

TARGET DATA

Designed for GSM / EDGE / IS-97 applications

• EXCELLENT THERMAL STABILITY

• COMMON SOURCE CONFIGURATION

• P

= 30 W with 10 dB gain @ 2000 MHz

OUT

M243

epoxy sealed

ORDER CODE

BRANDING

SD60030

DESCRIPTION

SD60030

The SD60030 is a common source N-Channel en-

hancement-mode lateral Field-Effect RF power

transistor designed for broadband commercial and

industrial applications at frequencies up to 2.0 GHz.

The SD60030 is designed for high gain and broad-

band performance operating in common source

mode at 26 V. It is ideal for base station applications

requiring high linearity.

PIN CONNECTION

1. Drain

2. Gate

3. Source

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25 ^°C)

CASE

Symbol

Parameter

Value

Unit

Drain-Source Voltage

(BR)DSS

Drain-Gate Voltage (R = 1 MΩ)

DGR

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 20

TBD

°C

DISS

Power Dissipation (@ Tc = 70 C)

Max. Operating Junction Temperature

Storage Temperature

200

-65 to +200

STG

THERMAL DATA (T

= 70 ^°C)

CASE

th(j-c)

Junction -Case Thermal Resistance

TBD

°C/W

November, 20 2001

1/4

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与SD60030相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SD600N	VISHAY	获取价格	Standard Recovery Diodes
SD600N	INFINEON	获取价格	STANDARD RECOVERY DIODES Stud Version
SD600N(R)	LIUJING	获取价格	可控硅、晶闸管
SD600N/R	VISHAY	获取价格	Standard Recovery Diodes (Stud Version), 600 A
SD600N/R04	VISHAY	获取价格	Standard Recovery Diodes (Stud Version), 600 A
SD600N/R08	VISHAY	获取价格	Standard Recovery Diodes (Stud Version), 600 A
SD600N/R12	VISHAY	获取价格	Standard Recovery Diodes (Stud Version), 600 A
SD600N/R16	VISHAY	获取价格	Standard Recovery Diodes (Stud Version), 600 A
SD600N/R20	VISHAY	获取价格	Standard Recovery Diodes (Stud Version), 600 A
SD600N/R22	VISHAY	获取价格	Standard Recovery Diodes (Stud Version), 600 A