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SD253N14S20MBVPBF

更新时间： 2024-11-12 13:13:15

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 250A, 1400V V(RRM), Silicon, DO-205AB,

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SD253N14S20MBVPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-MUPM-H1	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.69
其他特性：	SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE	应用：	HIGH VOLTAGE HIGH POWER FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-205AB	JESD-30 代码：	O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流：	5600 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最大输出电流：	250 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1400 V	最大反向恢复时间：	2 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

SD253N14S20MBVPBF 数据手册

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Bulletin I2065 rev. A 09/94

SD253N/R SERIES

FAST RECOVERY DIODES

Stud Version

Features

High power FAST recovery diode series

1.5 to 2.0 µs recovery time

250A

High voltage ratings up to 1600V

High current capability

Optimized turn on and turn off characteristics

Low forward recovery

Fast and soft reverse recovery

Compression bonded encapsulation

Stud version JEDEC DO-205AB (DO-9)

Maximum junction temperature 125°C

TypicalApplications

Snubber diode for GTO

High voltage free-wheeling diode

Fast recovery rectifier applications

Major Ratings and Characteristics

Parameters

I_F(AV)

SD253N/R

Units

250

°C

@ T_C

I_F(RMS)

I_FSM

392

@ 50Hz

@ 60Hz

@ 50Hz

@ 60Hz

5350

5600

I²t

143

KA²s

130

V_RRMrange

400 to 1600

1.5 to 2.0

range

µs

°C

case style

DO-205AB (DO-9)

@ T_J

T_J

- 40 to 125

www.irf.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SD253N14S20MSVPBF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 250A, 1400V V(RRM), Silicon, DO-205AB,
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