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SD1650

更新时间： 2024-11-25 22:50:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管射频微波蜂窝
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5页	63K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS CELLULAR BASE STATION APPLICATIONS

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SD1650 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PDFM-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	28 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDFM-F6	元件数量：	1
端子数量：	6	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	175 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SD1650 数据手册

SD1650

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

CELLULAR BASE STATION APPLICATIONS

REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

DOUBLE STEP INPUT/OUTPUT MATCH

850-960 MHz CLASS AB LINEAR

COMMON EMITTER

P_OUT= 60 W MIN. WITH 7 dB MIN GAIN

.400 6LFL (M169)

epoxy sealed

ORDER CODE

SD1650

BRANDING

SCELL500

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

Designed for 900 MHz cellular radio base station

applications, the SD1650 exhibits high collector

efficiency with excellent thermal characteristics.

Double-section internal input/output matching re-

sult in terminal impedance levels easily handled

by the circuit designer.

1. Collector

2. Base

3. Emitter

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

4.0

P_DISS

T_J

Power Dissipation (+25°C)

Junction Temperature

Storage Temperature

175

+200

T_STG

− 65 to +150

THERMAL DATA

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance

1.5

°C/W

*Applies only to rated RF amplifier operation

1/5

August 1992

12 3 4 5

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