SD1536-08

更新时间： 2024-11-21 09:31:19

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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SD1536-08 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
外壳连接：	BASE	最大集电极电流 (IC)：	10 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	292 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SD1536-08 数据手册

ASI SD1536-08

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .250 SQ 2L FL

DESCRIPTION:

The ASI SD1536-08 is a Common

Base Device Designed for DME IFF,

and TACAN Pulse Applications.

FEATURES INCLUDE:

• Gold Metallization

• Internal Impedance Matching

• Broad Band Performance

MAXIMUM RATINGS

10 A

I_C

65 V

V_CES

P_DISS

T_J

292 W @ T_C= 25 °C

-55 °C to +200 °C

-55 °C to +150 °C

0.60 °C/W

T_STG

θ_JC

1 = COLLECTOR

2 = EMITTER

3 = BASE

CHARACTERISTICS T_C= 25°C

SYMBOL

BV_CER

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 25 Ma

I_C= 10 mA

I_E= 1.0 mA

V_CE= 50 V

R_BE= 10 Ω

BV_CBO

BV_EBO

I_CES

3.5

---

h_FE

V_CE= 5.0 V

I_C= 100 mA

5.0

P_OUT

G_P

V_CE= 50 V

PULSE WIDTH = 10 μS

P_IN= 13.5 W f = 1025 to 1150 MHz

8.4

DUTY CYCLE = 1.0%

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. C

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