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SD1511-08

更新时间： 2024-11-06 19:56:23

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	122K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.250 X 0.250 INCH, HERMETIC SEALED, M105, 2 PIN

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SD1511-08 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	65 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	S-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	58.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SD1511-08 数据手册

SD1511-08

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

UHF RADAR APPLICATION

Features

•

425 MHz

28 VOLTS

_OUT= 10 WATT

G_P= 9.2 dB MINIMUM

GOLD METALIZATION

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The SD1511-08 is a gold metalized, silicon NPN power

transistor designed for CW and pulsed radar applications in the

400 – 450 MHz frequency range.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector - Base Voltage

Collector - Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Power Dissipation

4.0

°C

58.3

Device Current

Junction Temperature

Storage Temperature

2.0

T_J

T_STG

+200

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

3.0

°C/W

12-10-2002

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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