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SD1492-2

更新时间： 2024-11-21 04:05:19

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	24K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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SD1492-2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	25 A	基于收集器的最大容量：	100 pF
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	15	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SD1492-2 数据手册

SD1492-2

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .450 BAL FLG.(A)

The ASI SD1492-2 is a Common

Emitter Device Designed for Class A

and AB Amplifier Applications in

Television Band IV & V Transmitters.

FEATURES INCLUDE:

• Gold Metalization

• Emitter Ballasting

• Internal Matching

MAXIMUM RATINGS

25 A

I_C

60 V

V_CBO

P_DISS

T_J

300 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

0.55 °C/W

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS (PER SIDE)

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 100 mA

I_E= 50 Ma

V_CE= 28 V

BV_CBO

BV_EBO

I_CES

3.0

---

h_FE

_CE= 5.0 V

_CB= 28 V

_CE= 28 V

I_C= 3.0 A

C_OB

f = 1.0 MHz

100

P_OUT

G_P

I_CQ= 2 X 500 mA

I_CQ= 2 X 250 mA

f = 860 MHz

150

6.5

V_CE= 28 V

_out= 50 W

V_CE= 26.5 V P_out= 25 W

VISION = -8.0dB

f = 860 MHz

SOUND = -10 dB CHROMA = -16dB

η_C

-45

dBc

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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