SD1490

更新时间： 2024-11-21 09:31:19

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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SD1490 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F4
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	155 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SD1490 数据手册

SD1490

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI SD1490 is a Common

Emitter Device Designed for Class A

and AB Amplifier Applications in

Television Band IV & V Transmitters.

FEATURES INCLUDE:

· Gold Metalization

· Emitter Ballasting

· Internal Matching

PACKAGE STYLE .450 BAL FLG.(A)

MAXIMUM RATINGS

I_C

8.0 A

V_CB

P_DISS

T_J

45 V

155 W @ T_C= 25 ^OC

-55 ^OC to +200 ^OC

1.15 ^OC/W

T_STG

q_JC

1 = Collector

2 = Base

3 = Emitter

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

BV_CBO

BV_EBO

h_FE

TEST CONDITIONS (PER SIDE)

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 200 mA

I_C= 50 mA

I_E= 10 mA

V_CE= 5.0 V

3.0

I_C= 3.0 A

100

---

C_OB

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

G_P

G_p

V_CE= 26.5 V

I_C= 2 X 1.6 A

f = 860 MHz

8.0

7.0

9.0

8.0

V_CE= 28 V

P_out= 50 W

I_C= 2 X 250 mA

V_CE= 26.5 V P_out= 25 W

VISION = -8.0dB

f = 860 MHz

SOUND = -10 dB CHROMA = -16dB

IMD₃

-45

dBc

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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