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SD1485

更新时间: 2024-11-24 22:50:19
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美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管电视射频微波
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3页 436K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS TV BAND III APPLICATIONS

SD1485 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PDFM-F2针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.13其他特性:HIGH RELIABILITY, WITH DIFFUSED EMITTER BALLASTING RESISTORS
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):25 A
基于收集器的最大容量:190 pF集电极-发射极最大电压:35 V
配置:COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):20
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDFM-F2
JESD-609代码:e0元件数量:2
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):230 MHzBase Number Matches:1

SD1485 数据手册

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