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SD1485

更新时间： 2024-11-21 04:05:19

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ADPOW		晶体晶体管电视射频微波
页数	文件大小	规格书
4页	141K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS TV/LINEAR APPLICATIONS

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SD1485 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PDFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	其他特性：	WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	25 A
基于收集器的最大容量：	190 pF	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	SINGLE	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SD1485 数据手册

SD1485

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

TV/LINEAR APPLICATIONS

Features

170 - 230 MHz

32 VOLTS

P_OUT= 200 WATTS

G_P= 11.0 dB GAIN MINIMUM

INTERNAL INPUT MATCHING

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The SD1485 is a gold metallized epitaxial silicon NPN planar

transistor using diffused emitter ballast resistors for high

linearity Class AB operation in VHF and Band III television

transmitters and transposers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CBO

Parameter

Value

3.0

Unit

Collector-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

P_DISS

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

385

200

°C

T_STG

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Thermal Resistance Junction-case

0.45

°C/W

SD1485.PDF 10-18-02

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SD1487	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 18V 20A 4-Pin(4+Tab) Case M-174
SD1488	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONS
SD1489	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF & MICROWAVE TRANSISTORS TV/LINEAR APPLICATIONS
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SD1489	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 30V 8A 3-Pin Case M-173
SD14-8R8	COOPER	获取价格	General Purpose Inductor, 8.8uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2020
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SD1490	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR