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SD1483E3

更新时间: 2024-11-22 08:23:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 73K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,

SD1483E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PDFM-F2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.84外壳连接:EMITTER
最大集电极电流 (IC):25 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDFM-F2元件数量:2
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):108 MHz

SD1483E3 数据手册

  

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