SD1433

更新时间： 2024-09-30 22:43:27

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体射频双极晶体管微波放大器
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5页	61K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONS

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SD1433 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	0.280 INCH, PLASTIC, M122, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.25	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	2.5 A	集电极-发射极最大电压：	16 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-PRPM-F4
JESD-609代码：	e4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	58 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Gold (Au)
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SD1433 数据手册

SD1433

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

UHF MOBILE APPLICATIONS

470 MHz

12.5 VOLTS

CLASS C

EFFICIENCY 60%

COMMON EMITTER

P_OUT10 W MIN. WITH 8.0 dB GAIN

.280 4L STUD (M122)

epoxy sealed

ORDER CODE

BRANDING

SD1433

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

The SD1433 is a Class C epitaxial silicon NPN

planar transistor designed for driver applications

in the 450 - 512 MHz frequency range. This device

uses an emitter ballasted geometry specifically de-

signed for optimum stable power gain, maximum

efficiency and infinite VSWR.

1. Collector

2. Emitter

3. Base

4. Emitter

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_CES

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

4.0

2.5

P_DISS

T_J

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

+200

T_STG

65 to +150

3.0

−

THERMAL DATA

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance

°C/W

1/5

November 1992

12 3 4 5

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SD1433 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SD1275-01	STMICROELECTRONICS	功能相似	RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS

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