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SD125S06 PDF预览

SD125S06

更新时间： 2024-09-17 19:32:43
品牌 Logo 应用领域
VMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 146K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, CHIP

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SD125S06 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：S-XSSO-G1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JESD-30 代码：S-XSSO-G1最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：175 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：3 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

SD125S06 数据手册

 浏览型号SD125S06的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SD125S06的Datasheet PDF文件第3页 
SD125FF06  
SD125FF08  
SD125F06 - SD125F10  
600 V - 1,000 V Rectifiers  
3.0 A - 4.0 A Forward Current  
30 ns - 50 ns Recovery Time  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS  
Part Number Working  
Reverse  
Average  
Rectified  
Current  
Reverse  
Current  
@ Vrwm  
Forward  
Voltage  
1 Cycle Repetitive Reverse Thermal Junction  
Surge  
Current  
tp=8.3ms  
(Ifsm)  
Surge  
Current  
Recovery  
Time  
(3)  
Impd.  
Cap.  
@50VDC  
@1kHz  
(Cj)  
Voltage  
u
J-C  
(Vrwm)  
Volts  
(Io)  
(Ir)  
(Vf)  
(Ifrm)  
25°C  
(Trr)  
55°C(1) 100°C(2) 25°C  
100°C  
µA  
25°C  
25°C  
25°C  
25°C  
ns  
25°C  
25°C  
pF  
Amps  
Amps  
µA  
Volts  
Amps  
Amps  
Amps  
°C/ W  
600  
800  
3.0  
3.0  
1.5  
1.5  
1.0  
1.0  
50  
50  
5.0  
5.0  
2.0  
2.0  
50  
50  
10  
10  
30  
30  
0.40  
0.40  
100  
100  
SD125FF06  
SD125FF08  
600  
800  
1000  
4.0  
4.0  
4.0  
2.0  
2.0  
2.0  
1.0  
1.0  
1.0  
50  
50  
50  
3.0  
3.0  
3.0  
2.0  
2.0  
2.0  
50  
50  
50  
10  
10  
10  
50  
50  
50  
0.40  
0.40  
0.40  
100  
100  
100  
SD125F06  
SD125F08  
SD125F10  
(1) TC=55°C (2)TC=100°C (3)If=0.5A, Ir=1.0A, Irr=0.25A *Op. Temp.= -65°C to +175°C Stg. Temp.= -65°C to +200°C  
Plating:  
Cathode:  
.125(3.18)  
.125(3.18)  
50µin silver over 50µin nickel.  
Anode Strap:  
300µin fused tin lead over  
50µin nickel.  
.050(1.27)  
.125(3.18)  
.035(.89)  
ANODE  
.046(1.17)  
.020(.50)  
.125  
(3.18)  
.035(.89)  
CATHODE  
PAD LAYOUT  
.190(4.83)  
Scale: 4 : 1  
Dimensions: In. (mm) • All temperatures are ambient unless otherwise noted. • Data subject to change without notice.  
VOLTAGE MULTIPLIERS INC.  
8711 W. Roosevelt Ave.  
Visalia, CA 93291  
TEL  
FAX  
559-651-1402  
559-651-0740  
www.voltagemultipliers.com  
174  
123

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与SD125S06相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SD125S08 VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, CHIP
SD125S10 VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1000V V(RRM), Silicon, CHIP
SD125SA100A00D SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, Silicon, DIE
SD125SA20A SENSITRON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, Silicon, DIE-2
SD125SA20B SENSITRON

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SD125SA20C SENSITRON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, Silicon, DIE-2
SD125SA30A SENSITRON

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 		SILICON SCHOTTKY RECTIFIER DIE Very Low Forward Voltage Drop
SD125SA30A00D SENSITRON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, Silicon, DIE
SD125SA30B SENSITRON

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 		SILICON SCHOTTKY RECTIFIER DIE Very Low Forward Voltage Drop
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, Silicon, DIE

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