Datasheet > 二极管 > 信号二极管> SD103BWS-V-GS18

SD103BWS-V-GS18

更新时间： 2024-02-14 05:33:24

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威世 - VISHAY		信号二极管小信号肖特基二极管开关光电二极管
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Small Signal Schottky Diodes

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SD103BWS-V-GS18 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.3	Is Samacsys：	N
其他特性：	FAST SWITCHING	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.37 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
最大反向恢复时间：	0.01 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

SD103BWS-V-GS18 数据手册

SD103AWS-V/103BWS-V/103CWS-V

Vishay Semiconductors

Small Signal Schottky Diodes

Features

• The SD103 series is a metal-on-silicon

Schottky barrier device which is protected

by a PN junction guard ring

•

This diode is also available in the

Mini-MELF case with the type designations LL103A

to LL103C, DO35 case with the type designations

SD103A to SD103C and SOD123 case with type

designations SD103AW-V to SD103CW-V

20145

• The low forward voltage drop and fast switching

make it ideal for protection of MOS devices, steer-

ing, biasing, and coupling diodes for fast switching

and low logic level applications

• For general purpose applications

• Lead (Pb)-free component

Mechanical Data

Case: SOD323 Plastic case

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

Weight: approx. 4.3 mg

Packaging Codes/Options:

GS18/10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box

GS08/3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box

Parts Table

Part

SD103AWS-V

SD103BWS-V

SD103CWS-V

Ordering code

Type Marking

Remarks

SD103AWS-V-GS18 or SD103AWS-V-GS08

SD103BWS-V-GS18 or SD103BWS-V-GS08

SD103CWS-V-GS18 or SD103CWS-V-GS08

Tape and Reel

Absolute Maximum Ratings

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Test condition

Part

Symbol

V_RRM

Value

Unit

Peak reverse voltage

SD103AWS-V

SD103BWS-V

SD103CWS-V

V_RRM

P_tot

200¹⁾

Power dissipation

Single cycle surge

I_FSM

10 µs square wave

¹⁾Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

Thermal Characteristics

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Test condition

Symbol

R_thJA

Value

Unit

K/W

°C

500¹⁾

125¹⁾

Thermal resistance junction to ambient air

Junction temperature

T_j

- 55 to + 150¹⁾

T_stg

Storage temperature range

°C

¹⁾Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

Document Number 85682

Rev. 1.7, 18-Sep-06

www.vishay.com

12 3 4 5

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SD103BWS-V-GS18 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SD103BWS-7-F	DIODES	功能相似	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
SD103BWS	PANJIT	功能相似	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER

与SD103BWS-V-GS18相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SD103BW-T1	WTE	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE	获取价格
SD103BW-T1-LF	WTE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.35A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC	获取价格
SD103BW-T3	WTE	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE	获取价格
SD103BW-TP	MCC	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.35A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC	获取价格
SD103BW-V	VISHAY	Small Signal Schottky Diodes	获取价格
SD103BW-V-GS08	VISHAY	Small Signal Schottky Diodes	获取价格

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