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SD103BWS-V-GS18 PDF预览

SD103BWS-V-GS18

更新时间： 2024-11-18 06:10:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 信号二极管小信号肖特基二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 72K
描述
Small Signal Schottky Diodes

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SD103BWS-V-GS18 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.3Is Samacsys：N
其他特性：FAST SWITCHING配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.37 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.01 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

SD103BWS-V-GS18 数据手册

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SD103AWS-V/103BWS-V/103CWS-V  
Vishay Semiconductors  
Small Signal Schottky Diodes  
Features  
• The SD103 series is a metal-on-silicon  
Schottky barrier device which is protected  
by a PN junction guard ring  
e3  
•
This diode is also available in the  
Mini-MELF case with the type designations LL103A  
to LL103C, DO35 case with the type designations  
SD103A to SD103C and SOD123 case with type  
designations SD103AW-V to SD103CW-V  
20145  
• The low forward voltage drop and fast switching  
make it ideal for protection of MOS devices, steer-  
ing, biasing, and coupling diodes for fast switching  
and low logic level applications  
• For general purpose applications  
• Lead (Pb)-free component  
Mechanical Data  
Case: SOD323 Plastic case  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Weight: approx. 4.3 mg  
Packaging Codes/Options:  
GS18/10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box  
GS08/3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box  
Parts Table  
Part  
SD103AWS-V  
SD103BWS-V  
SD103CWS-V  
Ordering code  
Type Marking  
Remarks  
SD103AWS-V-GS18 or SD103AWS-V-GS08  
SD103BWS-V-GS18 or SD103BWS-V-GS08  
SD103CWS-V-GS18 or SD103CWS-V-GS08  
S6  
S7  
S8  
Tape and Reel  
Tape and Reel  
Tape and Reel  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Part  
Symbol  
VRRM  
Value  
40  
Unit  
V
Peak reverse voltage  
SD103AWS-V  
SD103BWS-V  
SD103CWS-V  
VRRM  
VRRM  
Ptot  
30  
V
20  
V
2001)  
2
Power dissipation  
Single cycle surge  
mW  
A
IFSM  
10 µs square wave  
1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
Thermal Characteristics  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
RthJA  
Value  
Unit  
K/W  
°C  
5001)  
1251)  
Thermal resistance junction to ambient air  
Junction temperature  
Tj  
- 55 to + 1501)  
Tstg  
Storage temperature range  
°C  
1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
Document Number 85682  
Rev. 1.7, 18-Sep-06  
www.vishay.com  
1
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SD103BWS-V-GS18 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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