SD103ATW

更新时间： 2024-11-28 11:57:27

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美微科 - MCC		二极管光电二极管
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3页	219K
描述
200mW SCHOTTKY BARRIER DIODE

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SD103ATW 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.05	配置：	SEPARATE, 3 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	3	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.35 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向恢复时间：	0.01 µs	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

SD103ATW 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

SD103ATW

Micro Commercial Components

Features

200mW

SCHOTTKY BARRIER

DIODE

ꢀ

Low Forward Voltage Drop

Guard Ring Construction for

Transient Protection

Fast Switching

Low Leakage Current

ꢀ

Three Fully Isolated Schottky Diodes

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Marking: KLL

SOT-363

Maxim um Ratings

Symbol

Rating

Unit

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_R(RMS)

I_FM

I_O

RMS Reverse Voltage

Forward Continuous Current(note.1)

Average Rectified Output Current(note.1)

350

175

1.0

Peak Forward Surge Current @t<=10ms

I_FSM

Thermal Resistance Junction to Ambient

Power dissipation

Junction Temperature

R/W

P_D

T_J

500

200

125

Storage Temperature

T_STG

-55 to +125

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

DIMENSIONS

Symbol

Parameter

Min

Max

Test Conditions

INCHES

MIN

V_(BR)

Reverse Breakdown Voltage

40V

---

I_R=100IA(note.2)

DIM

MAX

MIN

0.15

1.15

2.15

MAX

0.35

1.35

2.45

NOTE

.006

.045

.085

.014

.053

.096

V_R=10V

V_R=30V

Reverse Voltage Leakage

Current(note.2)

2IA

5IA

---

I_R

.026

0.65Nominal

.047

.071

---

.055

.087

.004

.043

.018

.006

1.20

1.80

1.40

2.20

0.10

1.10

0.46

0.15

----

0.27V

0.32V

0.37V

0.50V

50pF

I_F=1.0mA

I_F=5.0mA

I_F=20mA

I_F=100mA

---

V_F

Forward Voltage(note.2)

.035

.010

.003

0.90

0.26

0.08

----

---

C_T

t_rr

Total Capacitance

V_R=0V, f=1MHZ

I_F=IR=200mA,

Irr=0.1*IR,RL=100

Reverse Recovery Time

---

10.0ns

ꢁ

Notes: 1. This is the maximum rating of single Diode (D or D or D ). In the case of using two or three diodes, the maximum ratings per diode are 75% of the

ratings for single diode operation.

2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SD103ATW_08	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAY
SD103ATW_1	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAY
SD103ATW_10	FORMOSA	获取价格	175mA Surface Mount Small Signal Schottky Diode Array-40V
SD103ATW-13	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 3 Element, 0.175A, 40V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-6
SD103ATW-7	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAY
SD103ATW-7-F	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAY
SD103ATW-T1	WTE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 3 Element, 0.175A, 40V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-6
SD103ATW-TP-HF	MCC	获取价格	暂无描述
SD103AW	TYSEMI	获取价格	Guard ring construction for transient protection
SD103AW	SEMTECH	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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