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SD103ATW PDF预览

SD103ATW

更新时间： 2024-01-20 09:48:22
品牌 Logo 应用领域
SECOS 肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 136K
描述
Surface Mount Schottky Diode Array

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SD103ATW 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：0.65Is Samacsys：N
其他特性：LOW POWER LOSS配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.37 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：1.5 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.35 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.4 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：20 V最大反向恢复时间：0.01 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

SD103ATW 数据手册

 浏览型号SD103ATW的Datasheet PDF文件第2页 
SD103ATW  
Surface Mount Schottky Diode Array  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free  
SOT-363  
Min  
FEATURES  
A
Dim  
A
B
C
D
F
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
·
·
Fast Switching Speed  
0.10  
C
B
Surface Mount Package Ideally Suited for  
Automatic Insertion  
1.15  
2.00  
·
·
For General Purpose Switching Applications  
High Conductance  
0.65 Nominal  
H
0.30  
1.80  
¾
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
8°  
K
J
M
H
J
L
D
F
K
L
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
.
M
a
.
All Dimensions in mm  
TOP VIEW  
Marking: KLL  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
40  
VR(RMS)  
IFM  
V
RMS Reverse Voltage  
28  
mA  
mA  
Forward Continuous Current (Note 1)  
Average Rectified Current (Note 1)  
350  
175  
IO  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
(Note 1)  
IFSM  
A
1.0  
@ t £ 10ms  
Pd  
Power Dissipation  
200  
500  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-55 to +125  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
IRS = 100mA (pulsed)  
40  
¾
¾
V
IF = 1mA  
¾
¾
¾
¾
0.27  
0.32  
0.36  
0.44  
¾
¾
0.37  
0.50  
V
V
V
V
IF = 5mA  
VF  
Forward Voltage Drop (Note 2)  
IF = 20mA  
IF = 100mA  
VR = 10V  
¾
¾
0.2  
0.4  
2.0  
5.0  
mA  
mA  
IR  
CT  
trr  
Reverse Current (Note 2)  
Total Capacitance  
V
R = 30V  
V
R = 0V, f = 1.0MHz  
¾
¾
50  
10  
¾
pF  
ns  
IF = IR = 200mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
Reverse Recovery Time  
¾
Notes: 1. This is the maximum rating of single Diode (D1 or D2 or D3). In the case of using two or three diodes, the maximum ratings per  
diode are 75% of the ratings for single diode operation.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
Page 1 of 2  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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