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SD103ASDM-13 PDF预览

SD103ASDM-13

更新时间： 2024-02-02 07:33:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 78K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 4 Element, 0.35A, 40V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-6

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SD103ASDM-13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.41其他特性：FAST SWITCHING
配置：2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0元件数量：4
端子数量：6最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.35 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
最大功率耗散：0.225 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V最大反向恢复时间：0.01 µs
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

SD103ASDM-13 数据手册

 浏览型号SD103ASDM-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SD103ASDM-13的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: SD103ASDM  
SD103ASDM  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAY  
Features  
·
·
·
·
·
Low Forward Voltage Drop  
SOT-26  
A
Guard Ring Construction for Transient Protection  
Fast Switching  
Dim Min Max Typ  
A
B
C
D
F
0.35 0.50 0.38  
1.50 1.70 1.60  
2.70 3.00 2.80  
Low Reverse Capacitance  
C
B
TOP VIEW  
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 3)  
¾
¾
¾
¾
0.95  
0.55  
H
Mechanical Data  
K
J
M
H
J
2.90 3.10 3.00  
0.013 0.10 0.05  
1.00 1.30 1.10  
0.35 0.55 0.40  
0.10 0.20 0.15  
·
·
Case: SOT-26  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification  
Rating 94V-0  
F
L
D
K
L
·
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Polarity: See Diagram  
M
a
Leads: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
0°  
8°  
¾
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed  
over Copper leadframe). Please see Ordering Information,  
Note 5, on Page 3  
All Dimensions in mm  
TOP VIEW  
·
·
Marking: KSU (See Page 3)  
Weight: 0.016 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
40  
VR(RMS)  
IFM  
V
mA  
A
RMS Reverse Voltage  
28  
350  
Forward Continuous Current (Note 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t £ 1.0s  
Power Dissipation (Note 1)  
IFSM  
1.5  
Pd  
225  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
444  
Tj, TSTG  
-65 to +125  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
IR = 100mA  
40  
¾
¾
V
IF = 20mA  
IF = 100mA  
IF = 200mA  
0.37  
0.50  
0.60  
VF  
Forward Voltage Drop (Note 2)  
¾
¾
V
VR = 30V  
IR  
Reverse Current (Note 2)  
Total Capacitance  
¾
¾
¾
5.0  
mA  
VR = 0V, f = 1.0MHz  
CT  
50  
¾
pF  
IF = IR = 200mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
trr  
Reverse Recovery Time  
¾
10  
¾
ns  
Notes: 1. Device mounted on FR-5 PCB 1.0 x 0.75 x 0.062 inch pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout AP02001, which  
can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
3. No purposefully added lead.  
DS30294 Rev. 5 - 2  
1 of 3  
SD103ASDM  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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